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電源設(shè)計(jì)知識(shí)解析-電源設(shè)計(jì)中的去耦電容應(yīng)用實(shí)例 電源往往是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)過(guò)程中最容易忽略的環(huán)節(jié)。其實(shí)，作為一款優(yōu)秀的設(shè)計(jì)，電源設(shè)計(jì)應(yīng)當(dāng)是很重要的，它很大程度影響了整個(gè)系統(tǒng)的性能和成本。 大家對(duì)電容的概念大多還停留在理想的電容階段，一般認(rèn)為電容就是一個(gè)C。卻不知道電容還有很多重[詳細(xì)]
什么是MOS管 MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導(dǎo)體 (semiconductor) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 (insulator) — 半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)[詳細(xì)]
MOS管 2708 160A/80V參數(shù)詳情、封裝、規(guī)格書(shū)詳情 免費(fèi)送樣 MOS管 2708 160A/80V產(chǎn)品特點(diǎn) 專有的新型溝槽技術(shù) RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V 低柵電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化 MOS管 2708 160A/80V產(chǎn)品參數(shù) MOS管 2708 160A/80V產(chǎn)品封裝圖 MOS管 2708 160A/[詳細(xì)]
MOS管、三極管、IGBT之間的因果關(guān)系 區(qū)別與聯(lián)系最全解析 大家都知道MOS管、三極管、IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義，但是很少有人詳細(xì)地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說(shuō)IGBT是由BJT和MOS組成的，它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系，在應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管[詳細(xì)]
MOS管 9150 40A/500V原廠優(yōu)勢(shì) 1、我們?cè)敢鉃榭蛻糇霎a(chǎn)品調(diào)整 2、提高客戶產(chǎn)品技術(shù)保密性與性價(jià)比 3、擁有高效反應(yīng)的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì) 4、擁有設(shè)計(jì)與制造一體化服務(wù) MOS管 9150 40A/500V產(chǎn)品特性 先進(jìn)高級(jí)的平面工藝 RDS(ON),typ.=88mΩ@VGS=10V 低柵電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化 堅(jiān)固的多晶硅柵結(jié)構(gòu) 選擇到一款正確的MOS管，可以[詳細(xì)]
MOS管源極和漏極是否可以互換使用分析 MOS管源極和漏極是否能互換使用？ 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的源極S和漏極在制造工藝上是對(duì)稱的，可以互換使用。如把3DJ6應(yīng)用于功效前置級(jí)，D、S極互換后，電路工作狀態(tài)并無(wú)變化。 MOS管的襯底B與源極如果不連在一起，則D、S極可以互換，但有的MOS管由于結(jié)構(gòu)上的原因（即襯底B與源極S[詳細(xì)]
MOS管 3112 110A/120V原廠（參數(shù)、封裝、價(jià)格）免費(fèi)送樣 品質(zhì)保證 MOS管 3112 110A/120V產(chǎn)品特性 采用CRM(CQ)先進(jìn)的溝槽技術(shù) 極低通阻RDS(on) 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn) RDS(on)=7mΩ（typ.)@VGS=10V MOS管 3112 110A/120V產(chǎn)品封裝圖 MOS管 3112 110A/120V產(chǎn)品參數(shù) [詳細(xì)]
場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)-場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)、作用和特點(diǎn)詳解 場(chǎng)效應(yīng)管簡(jiǎn)介 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極[詳細(xì)]
場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)詳解-細(xì)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)型及其他知識(shí)（圖文） 場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管），本文主要講場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)，各種場(chǎng)效應(yīng)管的工作特點(diǎn)及根據(jù)特性曲線能判斷管子的類(lèi)型。 場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn) 了解場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)之前，我們來(lái)看看場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)有哪些？ [詳細(xì)]
什么是場(chǎng)效應(yīng)管（FET）-場(chǎng)效應(yīng)管（FET）分類(lèi)、原理、用途等知識(shí)詳解 場(chǎng)效應(yīng)管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動(dòng)作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以分為：1、接合型場(chǎng)效應(yīng)管 2、MOS型場(chǎng)效應(yīng)管 （一）場(chǎng)效應(yīng)管（FET）-接合型場(chǎng)效應(yīng)管（結(jié)型FET） 1、原理 N通道接合型場(chǎng)效應(yīng)管[詳細(xì)]
MOS管知識(shí)-MOS管參數(shù)（極限參數(shù)與靜態(tài)參數(shù)）及作用解析本文主要分析MOS管參數(shù)，講=MOS管即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)應(yīng)管，是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開(kāi)關(guān)器件，為壓控器件；MOS管有三個(gè)電極： 柵極G： MOS管的控制端，全名為：GATE，在G端加入高低電平即可控制MOS管的開(kāi)斷。對(duì)于NMOS管而言，要求Vgs>0時(shí)，MOS管導(dǎo)通，[詳細(xì)]
mos管功耗-mos管功耗計(jì)算方法及MOS驅(qū)動(dòng)基礎(chǔ) MOS管功耗，要確定一個(gè)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對(duì)其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括阻抗耗散和開(kāi)關(guān)耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHING mos管功耗-低功耗趨勢(shì) 封裝的小型化使封裝的熱阻降低，功率耗散才能進(jìn)步，相同電[詳細(xì)]
MOS管 3320 90A/200V規(guī)格書(shū)參數(shù)詳情 原廠直銷(xiāo) 免費(fèi)送樣 MOS管 3320 90A/200V產(chǎn)品特性 專用的新平面技術(shù) RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V 低柵電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化 MOS管 3320 90A/200V產(chǎn)品封裝圖 MOS管 3320 90A/200V產(chǎn)品參數(shù)詳情 MOS管 3320 90[詳細(xì)]
從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOS NMOS PMOS CMOS，詳細(xì)請(qǐng)查看下文。mos管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，MOS又分N型、P型MOS管。 （一）由基礎(chǔ)說(shuō)起 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)材料是硅晶體，硅這種材料，在化學(xué)元素周期表里是四族元素，硅從微觀上看每個(gè)原子最外層有4個(gè)電子，我們知道，外層[詳細(xì)]
不只是輸出驅(qū)動(dòng). 整個(gè) 數(shù)字 CMOS (Complementary-MOSFET) Technology的核心 都是: PMOS Pull-up, NMOS Pull-down。原因是PMOS適合傳導(dǎo)高電平 (接近VDD), NMOS適合傳導(dǎo)低電平(接近ND/VSS)。在CMOS Technology下, 正常NMOS是長(zhǎng)這樣的： NMOS一階電流公式如下： 那么假設(shè)我們用NMOS來(lái)傳輸一個(gè)高電平: 我們就需要[詳細(xì)]
電路小常識(shí)-電子工程師必備的40個(gè)模擬電路知識(shí) 由金屬導(dǎo)線和電氣、電子部件組成的導(dǎo)電回路，稱為電路。在電路輸入端加上電源使輸入端產(chǎn)生電勢(shì)差，電路連通時(shí)即可工作。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)和工藝的飛速發(fā)展，電子設(shè)備得到了廣泛應(yīng)用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門(mén)很基礎(chǔ)的專業(yè)課，對(duì)于學(xué)生[詳細(xì)]
800V MOS管選型表-MOS管產(chǎn)品信息及優(yōu)質(zhì)MOS管品牌推薦 800V MOS管-高壓 MOS管型號(hào)表 Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% [詳細(xì)]
晶體管是指可以執(zhí)行開(kāi)關(guān)和放大的半導(dǎo)體器件。 它可以用作開(kāi)關(guān)或放大器的電子設(shè)備稱為有源組件。 電開(kāi)關(guān)和放大并不是從1948年晶體管的發(fā)明開(kāi)始的。 但是，本發(fā)明是一個(gè)新時(shí)代的開(kāi)始，因?yàn)榕c晶體管擴(kuò)散之前使用的有源組件（稱為真空管）相比，晶體管體積小，效率高且具有機(jī)械彈性。下面我們先來(lái)看看PN結(jié)。 PN結(jié)二[詳細(xì)]
MOS管 400V選型 Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） ciss pF KNX9130A 40 300 0.11 0.13 3100 KNX3730A 50 300 0.05 0.065 3400 KIA6035A 11 350 0.38 0.48 844 KNX4540A 6 400 0.8 1 490 KNX6140A 10 400 0.35 0.5 1254 以上是MOS管 400V選型參數(shù)表，選擇[詳細(xì)]
（一）IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。 IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。 IGBT是電壓控制電流，可是說(shuō)是集成塊[詳細(xì)]
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