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細(xì)說開關(guān)電源的MOSFET選擇 圖文并茂 選擇到一款正確的MOSFET，可以很好地控制生產(chǎn)制造成本，最為重要的是，為產(chǎn)品匹配了一款最恰當(dāng)?shù)脑骷@在產(chǎn)品未來的使用過程中，將會充分發(fā)揮其“螺絲釘”的作用，確保設(shè)備得到最高效、最穩(wěn)定、最持久的應(yīng)用效果。 DC/DC 開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅[詳細(xì)]
詳解電流信號在控制回路中的作用及電流三大效應(yīng) 電流及電流分類 簡介： 導(dǎo)體中的自由電荷在電場力的作用下做有規(guī)則的定向運(yùn)動就形成了電流。電學(xué)上規(guī)定：正電荷定向流動的方向?yàn)殡娏鞣较?。工程中以正電荷的定向流動方向?yàn)殡娏鞣较?，電流的大小則以單位時間內(nèi)流經(jīng)導(dǎo)體截面的電荷Q來表示其強(qiáng)弱，稱為電流強(qiáng)度。大[詳細(xì)]
元器件知識-元器件選型時這些基礎(chǔ)知識必須掌握在手 元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用；常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。器件選型時，這幾個通識的基礎(chǔ)知識必須掌握,器件選型的思考的深度和廣[詳細(xì)]
MOSFET知識-詳解MOSFET柵極前100Ω電阻有什么用 年輕的應(yīng)用工程師 Neubean 想通過實(shí)驗(yàn)證明，為了獲得穩(wěn)定性，是不是真的必須把一個 100 Ω 的電阻放在 MOSFET 柵極前。MOSFET，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”[詳細(xì)]
MOS管 100A 30V參數(shù)詳情 優(yōu)質(zhì)品牌 技術(shù)支持 免費(fèi)送樣 MOS管 100A 30V產(chǎn)品特性 RDS(on)=3.2mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先進(jìn)溝槽MOS技術(shù) 極低通阻RDS(on) 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn) MOS管 100A 30V產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域 電機(jī)控制與驅(qū)動 電池管理 UPS 其他 MOS管 100A 30V產(chǎn)品參數(shù)詳情 MOS管 100A 30V產(chǎn)品封裝圖 MOS管 100A 30V規(guī)格[詳細(xì)]
2020年MOS管即將火爆的電子應(yīng)用在哪些領(lǐng)域 提供功率MOSFET的型號選型及應(yīng)用問題分析以及AC-DC,DC-DC電源IC方案型號推薦---場效應(yīng)管MOS管在2020年即將爆發(fā)的十大電子應(yīng)用在哪個領(lǐng)域呢？ MOS管它的主要作用是： 1、MOS管可應(yīng)用于放大.由于MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器[詳細(xì)]
場效應(yīng)管的四個區(qū)域解析-如何判斷場效應(yīng)管工作區(qū)域MOS管四個區(qū)域詳解 判斷場效應(yīng)管工作區(qū)域，下面先講述MOS管場效應(yīng)管的四個區(qū)域： 1）可變電阻區(qū)（也稱非飽和區(qū)） 滿足Ucs》Ucs（th）（開啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開啟。在該區(qū)域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。[詳細(xì)]
場效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管；絕緣柵型場效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)管，或簡稱MOS場效應(yīng)管。（一）如何防止絕緣柵型場效應(yīng)管擊穿 由于絕緣柵場效應(yīng)管的[詳細(xì)]
碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢？ （一）開關(guān)損耗 碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢，下圖1是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平臺下進(jìn)行開關(guān)損耗的對比測試結(jié)果。母線電壓800V, 驅(qū)動電阻RG=2.2Ω，驅(qū)動電壓為15V/-5V。使用1200V/20A G5 肖特基二極管 IDH20G120C5作為續(xù)流二極管。[詳細(xì)]
MOS管 KNX3108A 110A/80V產(chǎn)品參數(shù) MOS管 KNX3108A 110A/80V產(chǎn)品封裝 MOS管 KNX3108A 110A/80V產(chǎn)品規(guī)格書查看及下載規(guī)格書，請點(diǎn)擊下圖 MOS管 KNX3108A 110A/80V產(chǎn)品公司簡介深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)[詳細(xì)]
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