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晶體三極管選用技巧-教你如何選擇場效應(yīng)管與三極管 晶體三極管選用技巧 必須了解晶體管的類型和材料，常用的有NPN和PNP兩種，這兩種管工作時對電壓的極性要求不同，所以是這兩種晶體管是不能互相替換的。三極管額材料有鍺材料和硅材料，它們之前最大的差異就是其實(shí)電壓不一樣。 在放大電路[詳細(xì)]
MOS管開關(guān)電路知識-詳解MOS管在開關(guān)電路中的使用 MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。 一般情況下普遍用于高端驅(qū)動的MOS，導(dǎo)通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通[詳細(xì)]
MOS管保護(hù)電路知識-MOS管自鎖保護(hù)電路功能的制作方法 本實(shí)用新型屬于電路保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種保護(hù)電路，具體是一種自鎖保護(hù)電路。 背景技術(shù) 隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件應(yīng)用于各行各業(yè)，面對各種嚴(yán)酷的工作環(huán)境，對電路的保護(hù)尤為重要。如果電子器件在工作中出現(xiàn)問題，而沒有保護(hù)電路工作，就會造成電子器[詳細(xì)]
MOS管驅(qū)動電路-詳解MOS管和MOS管驅(qū)動電路之間的聯(lián)系 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。下面是我對MOS及MOS驅(qū)動電路基[詳細(xì)]
原理圖原理圖的制作-畫原理圖非常見技巧匯總圖解 原理圖 原理圖，顧名思義就是表示電路板上各器件之間連接原理的圖表。在方案開發(fā)等正向研究中，原理圖的作用是非常重要的，而對原理圖的把關(guān)也關(guān)乎整個項(xiàng)目的質(zhì)量甚至生命。 畫原理圖非常見技巧匯總 最近在畫一個原理圖，把一些比較好的[詳細(xì)]
原理圖，顧名思義就是表示電路板上各器件之間連接原理的圖表。在方案開發(fā)等正向研究中，原理圖的作用是非常重要的，而對原理圖的把關(guān)也關(guān)乎整個項(xiàng)目的質(zhì)量甚至生命。本文主要匯總各種系統(tǒng)原理圖、動圖。 （1）單級壓縮原理圖： （2）雙級壓縮原理圖： （3）兩級壓縮原理圖： （4）復(fù)疊式壓縮原理圖： （5）[詳細(xì)]
EDA技術(shù)是在電子CAD技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的計算機(jī)軟件系統(tǒng)，是指以計算機(jī)為工作平臺，融合了應(yīng)用電子技術(shù)、計算機(jī)技術(shù)、信息處理及智能化技術(shù)的最新成果，進(jìn)行電子產(chǎn)品的自動設(shè)計。利用EDA工具，可以將電子產(chǎn)品從電路設(shè)計、性能分析到設(shè)計出IC版圖或PCB版圖的整個過程在計算機(jī)上自動處理完成。 EDA常用軟件 EDA[詳細(xì)]
開關(guān)電源又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個位準(zhǔn)的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個人電腦，而開關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及[詳細(xì)]
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電信號來控制自身的開合，[詳細(xì)]
MOSFET即金氧半場效晶體管，是一種最常見的MOS管，也是構(gòu)成數(shù)字集成電路的基本單元，在開關(guān)電源、馬達(dá)控制、汽車電子、LED燈具驅(qū)動等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在當(dāng)電源應(yīng)用中，當(dāng)負(fù)載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護(hù)應(yīng)用類似，[詳細(xì)]
600V-650V MOS管選型表及MOS管原廠品牌供應(yīng)商 KIA半導(dǎo)體MOS管600V-650V型號表如下： Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% [詳細(xì)]
MOS管價格及品牌推薦-MOS管原廠供貨 正品保證 技術(shù)支持 本文主要講MOS管原廠供應(yīng)商簡介及MOS管價格，現(xiàn)在我們來看看MOS管品牌介紹吧。深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。 [詳細(xì)]
MOS管的正確用法分析與MOS管工作原理及優(yōu)勢詳解 mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響[詳細(xì)]
mos管結(jié)構(gòu)圖 本文解析mos管結(jié)構(gòu)圖。我們先來看看MOS管是什么，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不[詳細(xì)]
MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用及MOS管極的測試步驟 在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個電阻用什么作用呢？ 如上圖開關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13。這個電阻的作用有2個作用：限制G極電流，抑制振蕩。 限制G極電流 MOS管是由電壓驅(qū)動的[詳細(xì)]
MOS管驅(qū)動電流估算及MOS驅(qū)動的幾個特別應(yīng)用解析 MOS管驅(qū)動電流估算是本文的重點(diǎn)，如下參數(shù)： 有人可能會這樣計算： 開通電流 Ion=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr，帶入數(shù)據(jù)得Ion=105nc/(140+500)ns=164mA 關(guān)斷電流 Ioff=Qg/Toff= Qg/Td(off)+tf，帶入數(shù)據(jù)得Ioff=105nc/(215+2[詳細(xì)]
MOS管電路圖-MOS管功率放大器電路圖文詳解 MOS管功率放大器電路圖是由電路穩(wěn)壓電源模塊、帶阻濾波模塊、電壓放大模塊、功率放大模塊、AD轉(zhuǎn)換模塊以及液晶顯示模塊組成。 MOS管功率放大器電路圖詳解（一）系統(tǒng)設(shè)計 電路實(shí)現(xiàn)簡單，功耗低，性價比很高。該電路，圖1所示是其組成框圖。電路穩(wěn)壓電源模塊為系統(tǒng)提供能[詳細(xì)]
怎么測量mos管內(nèi)阻本文分享一下怎么測量mos管內(nèi)阻及檢測MOS管好壞的五大訣竅。具體圖如下文：現(xiàn)在市場上黑多mos管是假的，用高導(dǎo)通內(nèi)阻，低電流的mos管冒充低導(dǎo)通內(nèi)阻，高電流的mos管，因此需要測量mos內(nèi)阻以鑒別真?zhèn)巍?：給mos管gs兩端加上10V電壓，導(dǎo)通mos管。 2：給mos管DS通過1A電流，可使用帶限流的電源，[詳細(xì)]
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。功率比較小的單[詳細(xì)]
p-mos管簡介 p-mos管是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管 全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor 別名 ： positive MOS。p-mos管原理 p-mos管的工作原理與NMOS相類似。因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，其中的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以，PMOS的工作條件[詳細(xì)]
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