在本文中穎特新小編主要解析功率mos管為何會(huì)被燒毀。mos在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過(guò)程(由截止到導(dǎo)通的過(guò)渡過(guò)程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過(guò)程(由導(dǎo)通到截止的過(guò)渡過(guò)程)、截止?fàn)顟B(tài)。 Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài),開關(guān)損耗(開通過(guò)程和關(guān)斷過(guò)程),導(dǎo)通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個(gè)忽略不計(jì)),還有雪[詳細(xì)]
本文主要是講mos管替換原則及MOS管好壞判斷,現(xiàn)來(lái)看看mos管替換原則及電子元件器件的替換原則。 近幾年,電子產(chǎn)業(yè)外部環(huán)境變幻頻繁,原廠并購(gòu)與整合代理線、中美貿(mào)易戰(zhàn)、元器件缺貨輪番上演……產(chǎn)業(yè)不穩(wěn)定因素增加,給電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈帶來(lái)挑戰(zhàn)。元器件替代成為熱門話題,如何快速高效找到替代供應(yīng)商,非常關(guān)鍵。[詳細(xì)]
mos管開關(guān)電路MOS管開關(guān)電路是利用一種電路,是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關(guān)電路也主要分為兩種。P溝道MOS管開關(guān)電路 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。需要注意的是,Vgs指的是柵極G與[詳細(xì)]
開關(guān)電源的電路組成開關(guān)電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器(EMI)、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過(guò)欠壓保護(hù)電路、輸出過(guò)欠壓保護(hù)電路、輸出過(guò)流保護(hù)電路、輸出短路保護(hù)電路等。開關(guān)電源的電路組成方框圖如下: 輸入電路的原理以及常見的電路(1)AC輸[詳細(xì)]
FET概述 FET即Field Effect Transistor,譯為場(chǎng)效應(yīng)晶體管,也叫場(chǎng)效應(yīng)管,是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)。有很高的輸入阻抗,較大的功率增益,由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極。 FET原理簡(jiǎn)述 現(xiàn)在越來(lái)越多的電子電路都在使[詳細(xì)]
MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B詳細(xì)資料 1、MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B-特點(diǎn)RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V 提供無(wú)鉛綠色設(shè)備 低Rds開啟以最小化導(dǎo)電損耗 2、MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B-參數(shù) 3、MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B-封裝圖 4、MOS管D80N06替代產(chǎn)品KND3306B-規(guī)格書查看及下載規(guī)格書,請(qǐng)點(diǎn)擊下圖 [詳細(xì)]
MOS管 MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,英文名metal oxide semiconductor,屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型,因此,MOS管有時(shí)候又稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。 MOS管這個(gè)器件有兩個(gè)電極,分別是漏極D和源極S,無(wú)論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體[詳細(xì)]
MOS管和三極管類似,只不過(guò) MOS管是壓控壓型(電壓控制),而三極管是流控流型(電流控制)。 至于MOS管的使用,N型與P型存在區(qū)別,對(duì)于應(yīng)用,我們只需要知道: 1、對(duì)于N型MOS管,若G、S之間為高(電壓方向G指向S,具體電平看具體MOS管 ),D、S(電壓方向D指向S)之間就會(huì)導(dǎo)通,此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很小的電阻[詳細(xì)]
為什么電子元器件產(chǎn)品會(huì)遭遇靜電破壞?電子元器件按其種類不同,受靜電破壞的程du度也不一樣,最低的zhi100V的靜電壓也會(huì)對(duì)dao其造成破壞。近年來(lái)隨著電子元器件發(fā)展趨于集成化,因此要求相應(yīng)的靜電電壓也在不斷降低。人體所感應(yīng)的靜電電壓一般在2-4KV以上,通常是由于人體的輕微動(dòng)作或與絕緣物的磨擦而引起的。[詳細(xì)]
怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT管,在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管?下面我們就來(lái)了解一下,怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT管吧!什么是MOS管? 怎樣區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT管。場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種[詳細(xì)]
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路為了幫助MOSFET最大化導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間,需要驅(qū)動(dòng)電路。如果MOSFET需要相對(duì)較長(zhǎng)的時(shí)間進(jìn)出導(dǎo)通,那么我們就無(wú)法利用MOSFET的優(yōu)勢(shì)。這將導(dǎo)致MOSFET發(fā)熱,器件將無(wú)法正常工作。MOSFET驅(qū)動(dòng)器通常可以使用自舉電路來(lái)產(chǎn)生電壓,以將柵極驅(qū)動(dòng)到比MOSFET電源電壓更高的電壓。實(shí)際上,MOSFET的柵極像驅(qū)動(dòng)器[詳細(xì)]
PN結(jié)是什么?PN結(jié)采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)(英語(yǔ):PN junction)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,是電子技術(shù)中許多器件所利用的特性,例如半導(dǎo)體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。 二極管為什么只能[詳細(xì)]
交流電源交流電源是現(xiàn)代詞,是一個(gè)專有名詞,指的是插頭與插座指用來(lái)接上用來(lái)將市電提供的交流電,使家用電器與可攜式小型設(shè)備通電可使用的裝置?;谝环N交流電源的LED照明電路設(shè)計(jì) 當(dāng)前全球能源短缺 的憂慮再度升高的背景下,節(jié)約能源是我們未來(lái)面臨的重要的問題,在照明領(lǐng)域,led發(fā)光 產(chǎn)品的應(yīng)用正吸引著世人[詳細(xì)]
LED電源的工程師經(jīng)常提及“恒流”驅(qū)動(dòng),其實(shí),在很多電子設(shè)備中,有許多用電設(shè)備要求供給的電流(而不是電壓)保持恒定。一般把這種能夠向負(fù)載提供恒定電流的電源稱為恒流源。所謂恒流,是一種習(xí)慣說(shuō)法,并不是電流值絕對(duì)不變,只是這種變化相對(duì)的小而已,在一個(gè)規(guī)定的工作范圍內(nèi)保持足夠的穩(wěn)定性。 基本的恒流源[詳細(xì)]
根據(jù)導(dǎo)電方式的不同,MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指:當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài),加上正確的VGS后,多數(shù)載流子被吸引到柵極,從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,形成導(dǎo)電溝道。 N溝道增強(qiáng)型MOSFET基本上是一種左右對(duì)稱的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)[詳細(xì)]
目前工業(yè)傳動(dòng)通常採(cǎi)用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化硅MOSFET元件,為這個(gè)領(lǐng)域另外開闢出全新的可能性。主要的技術(shù)關(guān)鍵推手和應(yīng)用限制 以反相器為基礎(chǔ)的傳動(dòng)應(yīng)用,最常見的拓?fù)渚褪且?個(gè)電源開關(guān)連接3個(gè)半橋接電橋臂。每一個(gè)半橋接電橋臂,都是以歐姆電感性負(fù)載(馬達(dá))上的硬開關(guān)換[詳細(xì)]
V-FET或功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)知識(shí) 功率MOS管通常采用V型配置,如圖所示。這就是為什么該元器件有時(shí)被稱為V-MOS管或V-FET。 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管(Static Induction Transistor——SIT)。其特點(diǎn)是用柵極電壓[詳細(xì)]
功率MOSFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。今天本文主要是剖析功率MOSFET,將從十幾個(gè)方面進(jìn)行總結(jié)與解析。[詳細(xì)]
三極管的工作原理及特性 三極管之所以運(yùn)用如此廣泛,其主要原因在于它可以通過(guò)小電流控制大電流。形象地說(shuō)就是基極其是是一個(gè)閥門開關(guān),閥門開關(guān)控制的是集電極到發(fā)射極之間的電流大小,而本身控制閥門開關(guān)的基極的電流要求很小。更加形象的圖形說(shuō)明如下所示: 三極管的結(jié)構(gòu)與符號(hào) 三極管內(nèi)部機(jī)構(gòu)要求:(此處[詳細(xì)]
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