電磁兼容性(EMC)是電子設(shè)備存在于電磁環(huán)境中而不會(huì)對(duì)該環(huán)境中的其他電子設(shè)備造成干擾或干擾的能力。EMC如何測(cè)試及整改是大部分電子設(shè)備都需要考慮的問題,下面由村田的代理穎特新科技給您進(jìn)行簡(jiǎn)單的講解。EMC通常分為兩類:1.輻射 - 電子設(shè)備發(fā)出的電磁干擾可能會(huì)對(duì)同一環(huán)境中的其他電子設(shè)備造成干擾/故障。也[詳細(xì)]
美光半導(dǎo)體周四宣布,該公司一開始量產(chǎn)基于第三代 10nm 制程(又稱 1z nm)制程的存儲(chǔ)芯片,首批到來的便是 16Gb DDR4 / LPDDR4 DRAM 器件。隨著時(shí)間的推移,該公司還將進(jìn)一步擴(kuò)大其產(chǎn)品組合。與第二代 10nm 工藝相比, 新工藝使得美光能夠提升 DRAM 芯片密度,在增強(qiáng)性能的同時(shí)、降低產(chǎn)品的功耗。值得一提的是[詳細(xì)]
業(yè)界領(lǐng)先的芯片制造商美光科技(MU)最近開始大規(guī)模生產(chǎn)16Gb的DDR4產(chǎn)品,使用1z納米(納米)工藝技術(shù)。因此,美光成為第一家使用最小DRAM節(jié)點(diǎn)來擴(kuò)展DRAM功能的內(nèi)存芯片公司。使用1z nm節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)16Gb DDR4產(chǎn)品將消耗更少的電能。值得注意的是,與之前的基于8Gb DDR4的產(chǎn)品相比,DDR4產(chǎn)品將減少40%的功耗。較小的1z nm[詳細(xì)]
美光半導(dǎo)體在本周早些時(shí)候與投資者和金融分析師召開的業(yè)績(jī)電話會(huì)議上,表達(dá)了對(duì)其長(zhǎng)期前景的信心,并表示隨著未來幾年各領(lǐng)域新應(yīng)用的涌現(xiàn),對(duì)其產(chǎn)品的需求強(qiáng)勁。該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能和迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)工藝技術(shù)的計(jì)劃。美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示:“我們相信,受人工智能、自動(dòng)駕駛汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng)等[詳細(xì)]
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