&

品牌導(dǎo)航

欄目導(dǎo)航

內(nèi)容列表

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG0S3HBAI4

TC58BVG0S3HBAI4是一個(gè)單一的3.3V1Gbit(1，107，296，256位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。該設(shè)備具有一個(gè)2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器，它允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(128 K字節(jié)、4K字節(jié)：[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG0S3HBAI6

TC58BVG0S3HBAI6 是一個(gè)單一的 3.3V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) 組織為 (2048 ，64)字節(jié)× 64 頁× 1024 塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：211[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00是一個(gè)單一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。TC5[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0是一個(gè)單一的3.3V 1Gbit(1，107，296，256位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。TC5[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBA4是一個(gè)3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(2048+64)字節(jié)或64頁或2048塊。該設(shè)備具有2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器,其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2112字節(jié)增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳送,擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。TC58BVG1S3HBa[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG1S3HBAI6

TC58 BVG1S 3HBAI6 是單個(gè) 3.3V 2Gbit（ 2,214 ，592 ，512 位）NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) ，組織為（ 2048 + 64 ）字節(jié)× 64 頁× 2048 塊。該設(shè)備具有2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器,其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2112字節(jié)增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳送,擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00是一個(gè)3.3V2Gbit(2,214,592,512位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，組織為(2048+64)字節(jié)或64頁或2048塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。TC58BVG1S3HTA00是[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0是一個(gè)單獨(dú)的3.3V2Gbit(2，214，592，512位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×2048塊。該設(shè)備具有一個(gè)2112字節(jié)的靜態(tài)寄存器，它允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(128 K字節(jié)、4K字節(jié)：[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBa4是一個(gè)3.3V4Gbit(4,429,185,024位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+128)字節(jié)或64頁或2048塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×64頁)。[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG2S0HBAI6

TC58BVG2S0HBAI6是一個(gè)3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。TC58BVG2S0HBai6是一種串行型存儲設(shè)備，它使用I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00是一個(gè)單獨(dú)的3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI 0是一個(gè)3.3V4Gbit(4，429，185，024位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BYG0S3HBAI4

TC58 BYG0S 3HBAI4 是一個(gè)單一的 1.8V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) ，組織為 (2048 ，64)字節(jié)× 64 頁× 1024 塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6是一個(gè)1.8V 1 Gbit(1，107，296，256位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。TC58BYG0[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4是一個(gè)1.8V2Gbit(2,214,592,512位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(2048+64)字節(jié)或64頁或2048塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(128 K字節(jié)、4K字節(jié)：2112字節(jié)×64頁)。T[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6是一個(gè)1.8V2Gbit(2,214,592,512位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(2048+64)字節(jié)或64頁或2048塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。TC58BYG1S3HBAI[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BYG2S0HBAI4

TC58BYG2S0HBAI4是一個(gè)1.8V4Gbit(4,429,185,024位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+128)字節(jié)或64頁或2048塊。TC58BYG2S0HBAI4 是一個(gè)串行類型的存儲器設(shè)備，它利用 I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/ 輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6是一個(gè)1.8V 4Gbit(4，429，185，024位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×6[詳細(xì)]

2019-09東芝NAND閃存：TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HxAIx是支持SPI接口的嵌入式應(yīng)用程序的串行接口NANDFlash。組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。該設(shè)備具有2112字節(jié)數(shù)據(jù)緩沖器，其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2112字節(jié)增量在緩沖器和存儲器單元陣列之間傳送。擦除操作是在一個(gè)單一塊單元中實(shí)現(xiàn)的(128 K字節(jié)、4字節(jié)：2112字節(jié)×64頁)。該裝置具有連續(xù)讀頁操[詳細(xì)]