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TC58NYG2S0HBAI4是一個1.8V4Gbit(4，563，402，752位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 256)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：435[詳細]
TC58NYG2S0HBAI6是一個1.8V 4 Gbit(4，563，402，752位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 256)字節(jié)×64頁×2048塊。該設備具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：435[詳細]
TH58BVG3S0HBAI4是一個單一的3.3V 8 Gbit(8，858，370，048位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×4096塊。該設備具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許程序和讀取數(shù)據(jù)以4224字節(jié)增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224[詳細]
TH58BVG3S0HBAI6是一個3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+128)字節(jié)或64頁或4096塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×64頁)。[詳細]
TH58BVG3S0HTA00是一個3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+128)字節(jié)或64頁或4096塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×64頁)。[詳細]
TH58BVG3S0HTAI0是一個3.3V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×4096塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×6[詳細]
TH58BYG3S0HBAI4是一個1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×4096塊。該設備具有一個4224字節(jié)的靜態(tài)寄存器，它允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：422[詳細]
TH58BYG3S0HBAI6是一個1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×4096塊。該設備具有一個4224字節(jié)的靜態(tài)寄存器，它允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個塊單元中實現(xiàn) (256Kbytes + 8Kbytes ： 422[詳細]
TH58NVG3S0HBAI4是一個單一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 256)字節(jié)×64頁×4096塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字[詳細]
TH58NVG3S0HBAI6是一個單一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 256)字節(jié)×64頁×4096塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字[詳細]
TH58NVG3S0HTA00是一個單一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 256)字節(jié)×64頁×4096塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字[詳細]
TH58NVG3S0HTAI0是一個單一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 256)字節(jié)×64頁×4096塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字[詳細]
TH58NVG4S0HTA20是一個單一的3.3V 16 Gbit(18，253，611，008位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，組織為(4096256)字節(jié)64頁8192塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作以單個塊單元(25[詳細]
TH58NVG4S0HTAK0是一個單一的3.3V 16 Gbit(18，253，611，008位)NAND電可擦除和可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，組織為(4096256)字節(jié)64 Pages8192塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作以單個塊單[詳細]
TH58NYG3S0HBaI4是一個1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+256)字節(jié)或64頁或4096塊。裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：4352字節(jié)×[詳細]
TH58NYG3S0HBaI6是一個1.8V8Gbit(9,126,805,504位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+256)字節(jié)或64頁或4096塊。該設備具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：4352字節(jié)×[詳細]
根據(jù)外媒的報道，東芝內(nèi)存公司（Toshiba Memory Corporation）已開始對業(yè)界首款UFS 3.0閃存嵌入式設備進行采樣。 新產(chǎn)品系列采用了該公司最先進的96層BiCS FLASH 3D閃存，有三種容量可供選擇：128GB，256GB和512GB。據(jù)介紹，東芝宣布推出業(yè)界首款采用超快速通用閃存（UFS）3.0版技術(shù)的嵌入式閃存芯片。新[詳細]
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