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TC58CVG2S0HXAIX是用于支持SPI接口的嵌入式應用程序的串行接口NAND閃存。組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該設備具有 4224 字節(jié)數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，它允許程序和讀取數(shù)據(jù)在緩沖區(qū)和內(nèi)存單元陣列之間以 4224 字節(jié)的增量傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×64頁)。該裝置采用高速[詳細]
TC58 CYG0S 3HxA Ix 是一個用于嵌入式應用程序的串行接口 NAND Flash ，支持 SPI 接口。組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。TC58CYG0S3HxAIx被組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。該設備具有一個2112字節(jié)的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，它允許程序和讀取的數(shù)據(jù)在緩沖區(qū)和以2112字節(jié)為增量的存儲器單元陣列。擦除操作是在[詳細]
TC58NVG0S3HBAI4是一個單一的3.3V 1Gbit(1，140，850，688位)NAND電可擦除和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 128)字節(jié)×64頁×1024塊。該設備具有2176字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(128千字節(jié)，8千字節(jié)：217[詳細]
TC58NVG0S3HBAI6是一個單一的3.3V 1Gbit(1，140，850，688位)NAND電可擦除和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 128)字節(jié)×64頁×1024塊。該設備具有2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(128千字節(jié)，8千字節(jié)[詳細]
TC58NVG0S3HTA00是一個單一的3.3V 1Gbit(1，140，850，688位)NAND電可擦除和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 128)字節(jié)×64頁×1024塊。該設備具有2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(128千字節(jié)，8千字節(jié)[詳細]
TC58NVG0S3HTAI0是一個單一的3.3V 1Gbit(1，140，850，688位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 128)字節(jié)×64頁×1024塊。該設備具有2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(128千字節(jié)，8千字節(jié)：[詳細]
TC58NVG1S3HBAI4是一個單一的3.3V 2Gbit(2，281，701，376位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有兩個2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以2176字節(jié)增量傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個塊單元(128KB+8KB：2176字節(jié)/64頁)中實[詳細]
TC58NVG1S3HBAI6是一個單一的3.3V 2Gbit(2，281，701，376位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有兩個2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以2176字節(jié)增量傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個塊單元(128KB+8KB：2176字節(jié)/64頁)中實[詳細]
TC58NVG1S3HTA00是一個單一的3.3V 2Gbit(2，281，701，376位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該設備具有兩個2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和內(nèi)存單元數(shù)組之間傳輸。擦除操作在單個塊單元(128KB+8KB：2176字節(jié)/64頁)中實[詳細]
TC58NVG1S3HTAI0是一個單一的3.3V 2Gbit(2，281，701，376位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(2048 128)字節(jié)×64頁×2048塊。該設備具有兩個2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和內(nèi)存單元數(shù)組之間傳輸。擦除操作在單個塊單元(128KB+8KB：2176字節(jié)/64頁)中實[詳細]
TC58NVG2S0HBAI 4是一個單一的3.3V 4Gbit(4，563，402，752位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)組織為(4096 256)字節(jié)×64頁×2048塊。該設備具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：[詳細]
TC58NVG2S0HBa6是一個3.3V4Gbit(4,563,402,752位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+256)字節(jié)或64頁或2048塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：4352字節(jié)[詳細]
TC58NVG2S0HTA00是一個單一的3.3V 4Gbit(4，563，402，752位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 256)字節(jié)×64頁×2048塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字[詳細]
TC58NVG2S0HTA0是一個3.3V4Gbit(4,563,402,752位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+256)字節(jié)或64頁或2048塊。該裝置具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：4352字節(jié)[詳細]
TC58NYG0S3HBAI4 是一個單一的 1.8V1 Gbit(1,140 ，850 ，688 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) 組織為 (2048 ，128)字節(jié)× 64 頁× 1024 塊。該設備具有2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(128[詳細]
TC58NYG0S3HBA6是一個1.8V1Gbit(1,140,850,688位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(2048+128)字節(jié)或64頁或1024個塊。該設備具有2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和存儲器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(128千字節(jié)，8千字節(jié)：2176字節(jié)×[詳細]
TC58NYG1S3HBAI4 是一個單一的 1.8V 2Gbit(2,281 ，701 ，376 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) 組織為 (2048 ，128)字節(jié)× 64 頁× 2048 塊。該裝置具有兩個2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以2176字節(jié)增量傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個塊單元(128KB+8[詳細]
TC58NYG1S3HBAI6是一個1.8V2Gbit(2,281,701,376位)NAND電可擦可編程只讀存儲器(NANDE2PROM)，其組織為(2048+128)字節(jié)或64頁或2048塊。該設備具有兩個2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和內(nèi)存單元數(shù)組之間傳輸。擦除操作在單個塊單元(128KB+8KB：2176字節(jié)/64頁)中實現(xiàn)。TC58NYG[詳細]
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