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一、影響性能的主要時序參數(shù)所謂的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定后，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內(nèi)存的工作周期內(nèi)，不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài)，因為要有命令、尋址等必要的過程。但這些操作占用的時間越短，內(nèi)存工作的效率越高，性能也就越好。非數(shù)據(jù)傳輸時間的主要組成部分就[詳細]
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了五代，分別是:第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DDR4 SDRAM。第一代SDRAM采用單端(Single-Ended)時鐘信號,第二代、第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。SDR SDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存[詳細]
HT:工具好用.DEMO難搞.成本中等.PIC:工具難用,DEMO易搞.成本偏高.FREESCALE:工具難用,DEMO易搞.成本偏高.STC/51:工具好用,DEMO易搞.成本偏低.AVR:工具好用,DEMO易搞.成本中等.MSP430:工具非常好用,DEMO易搞.成本偏高.EMC:工具好用,DEMO難搞.成本偏低.SUNPLUS:工具難用,DEMO難搞.成本偏低.TENX:工具難用,DEMO難搞[詳細]
tws調(diào)成雙耳模式只需要將耳機恢復(fù)出廠設(shè)置后再重新與手機連接即可。具體操作步驟如下：1、在手機藍牙界面找到連接的tws藍牙耳機后，斷開藍牙連接。2、將耳機放入耳機盒中，同時長按左右耳機的觸摸部位7秒，耳機白色指示燈長亮，松開按鍵。3、耳機復(fù)位后，耳機白色指示燈閃爍，進入配對模式，再進入手機藍牙重新[詳細]
國際大廠商如三星（samsung),現(xiàn)代（hynix），鎂光（Micron）等廠商的小容量nand flash 都已逐步停產(chǎn)，市場也呈現(xiàn)缺貨漲價勢頭。下面給大家介紹最近２年風(fēng)頭正勁的韓國ATO公司的小容量nand flash，由于供貨穩(wěn)定，性價比好，開始受到各大生產(chǎn)廠商的熱捧。 ATO的nand fla[詳細]
RAM存儲器自誕生來，已發(fā)展成多個版本，有SRAM、pSRAM、DRAM等，下一個是什么呢？穎特新工程師為你介紹什么是MRAM高速內(nèi)存。人們一直以來都覺得電腦開機之后看著Windows進度條一次次劃過，然后點擊登錄、打開桌面這樣的過程是理所當(dāng)然？之所以每次開機時操作系統(tǒng)都必須重新做一次內(nèi)存初始化的操作，是因為現(xiàn)在的[詳細]
雖然2019年Q3中美貿(mào)易爭端有所緩解（將重啟談判），2019年智能手機及服務(wù)器的需求量繼續(xù)低于原先預(yù)期。此外，上半年CPU缺貨對筆記本電腦出貨仍略有影響，因此，eMMC/UFS、SSD等產(chǎn)品第三季旺季出貨量恐不如預(yù)期，合約價跌勢難止。2019年上半年，OEM著重各類產(chǎn)品去化庫存，備貨動能疲弱，NAND Flash合約均價已連續(xù)[詳細]
內(nèi)存的正式名字叫做“存儲器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為3400億美金，存儲器就占了768億美元。對于你身邊的手機、平板、PC、筆記本、安防等所有電子產(chǎn)品來說，存儲器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實的電子行業(yè)“原材料”。存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。[詳細]
NAND Flash解決方案架構(gòu)主流分為：raw NAND、ClearNAND和eMMC三種，各有不同的架構(gòu)、界面和終端應(yīng)用。生產(chǎn)廠商將會視不同客戶和不同產(chǎn)品應(yīng)用的需求，而靈活運用raw NAND、ClearNAND和eMMC 這3種NAND Flash解決方案。raw NANDraw NAND即是一般的NAND Flash內(nèi)存芯片，所有的ECC除錯機制(Error Correcting Code)、[詳細]
高速SRAM芯片一般是指異步快速SRAM芯片，讀取速度在8/10/12ns之間，大多數(shù)用于工業(yè)級應(yīng)用，高速設(shè)備應(yīng)用，服務(wù)器，金融系統(tǒng)等行業(yè)，對于高速SRAM芯片要如何選型？穎特新工程師建議一般考慮以下幾個：1、高速SRAM存儲器容量容量是衡量 SRAM存儲數(shù)據(jù)的能力大小，它們主要的單位換算方式如下：1.1常用的單位有：bi[詳細]
一、什么是SRAM存儲器？SRAM存儲器是一種需要在支持供電的條件下才可以存儲數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機存儲器，一般在高性能產(chǎn)品中是關(guān)鍵的部分，一般來說SRAM存儲器是分為兩種，一種是異步SRAM，另一種是同步SRAM。同步型sram采用一個輸入時鐘來啟動至存儲器的所有事務(wù)處理(讀、寫、取消選定等)。而異步型sram則并不具備時[詳細]
PSRAM是一種偽靜態(tài)SRAM存儲器，它具有類似SRAM的接口協(xié)議：給出地址、讀、寫命令，就可以實現(xiàn)存取，不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新，接口簡單；PSRAM的內(nèi)核是DRAM架構(gòu)：1T1C一個晶體管一個電容構(gòu)成存儲cell，而傳統(tǒng)SRAM需要6T即六個晶體管構(gòu)成一個存儲cell。由此結(jié)合，他可以實現(xiàn)類S[詳細]
PSRAM，全稱Pseudo static random access memory，屬于偽靜態(tài)SRAM器件，內(nèi)置內(nèi)存顆粒和SDRAM的顆粒類似，器件外部接口和SRAM相似，不需要跟SDRAM一樣復(fù)雜的控制器和刷新機制可以采用跟SRAM一樣的接口模式外擴PSRAM器件。PSRAM芯片容量包括1Mbytex8，2Mbytex8，4Mbytex8，8Mbytex8四種，不能夠與SDRAM的高密度容[詳細]
SDRAMH57V2562GTR-75C 256M(16*16)K4S561632N-LC60 256M(16*16) DDRK4H561638N-LCCC 256Mb<16M*6> H5DU2562GTR-E3C 256Mb<16M*6> K4H511638J-LCCC &nb[詳細]
存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器，區(qū)別在于前者掉電后數(shù)據(jù)會被清除通常RAM（隨機讀取存儲器）就是易失性存儲器的代表，它有包含有DRAM（動態(tài)隨機存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存儲器），他們之前不同在于生產(chǎn)工藝的不同，SRAM保存數(shù)據(jù)是靠晶體管鎖存的，DRAM保存數(shù)據(jù)靠電容充電來維持。SRAM的工藝復(fù)雜，生產(chǎn)[詳細]
DFT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片測試主要是為了篩選（Screen Out）出Flash陣列、譯碼器、寄存器的失效。測試流程（Test Flow）從wafer level，到single component level、module level，定義各項測試的次序，篩選出性能較差和失效的device，需要[詳細]
一、DIP雙列直插式封裝DIP(DualIn－linePackage)是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕 大多數(shù)中小規(guī)模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過100個。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結(jié)構(gòu)的芯 片插座上。當(dāng)然，也可以直接插在有相同焊孔數(shù)和幾何排列的電路板上進行焊接。[詳細]
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