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STM32f1xxx的閃存模塊由：主存閃存、信息塊和閃存存儲(chǔ)器接口寄存器等3部分組成。各個(gè)部分的大小因不同型號(hào)有一定的差異，數(shù)據(jù)手冊(cè)可以看到小容量產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊1-32KB，每頁(yè)1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)2KB。中容量產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊64-128KB，每頁(yè)1KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)2KB。大容量產(chǎn)品主存儲(chǔ)塊256KB以上，每頁(yè)2KB。系統(tǒng)存儲(chǔ)2KB。主存儲(chǔ)器：[詳細(xì)]
W25X64 是華邦公司推出的大容量SPI FLASH 產(chǎn)品，W25X64 的容量為 64Mbit(8M)，該系列還有 W25Q80/16/32 等。W25X16,W25X32,W25X64分別有8192,16384,32768個(gè)可編程頁(yè),每頁(yè)256字節(jié),用扇區(qū)擦除指令每次可以擦除16頁(yè),用塊擦除指令每次可以擦除256頁(yè),用整片擦除指令既可以擦除整個(gè)芯片,W25X16,W25X32,W25X64分[詳細(xì)]
NAND Flash是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)介質(zhì)，基于浮柵(Floating Gate)晶體管設(shè)計(jì)，通過浮柵來鎖存電荷，電荷被儲(chǔ)存在浮柵中，它們?cè)跓o電源供應(yīng)的情況下仍然可以保持。關(guān)于NAND Flash技術(shù)基本原理之前有過講解，大家可以參考文章閃存技術(shù)最全面解析。今天主要討論下NAND Flash生產(chǎn)過程、架構(gòu)和關(guān)鍵指標(biāo)。NAND Fl[詳細(xì)]
1，按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-4），DDR4目前標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC官方頻率規(guī)格的為1600，1866，2133，2400，2666，3200，簡(jiǎn)單來說就是，這六個(gè)頻率為官方標(biāo)準(zhǔn)的原生默頻頻率（由于JEDC最高為3200，因此3200以上均為非規(guī)范頻率，比如XMP），1600和1866這兩個(gè)頻率將應(yīng)用在某些特殊行業(yè)及領(lǐng)域，零售領(lǐng)域從2133起售。在官方標(biāo)準(zhǔn)[詳細(xì)]
新一代DDR4與上一代DDR3內(nèi)存相比，新一代 DDR4 內(nèi)存性能有了大幅度提升，而且功耗還降低了不少。更讓大家興奮的是，目前它的價(jià)格和 DDR3 相差無幾。這難免令新裝機(jī)用戶心動(dòng)。但是首先非常遺憾的告訴大家，DDR3 與 DDR4 內(nèi)存相差較大，從外觀到參數(shù)都是絕對(duì)的變化，也不互相兼容。DDR4 內(nèi)存條每次內(nèi)存升級(jí)換代時(shí)[詳細(xì)]
一、基本特性容量256Mb，最小的組織單位是頁(yè)每個(gè)頁(yè)256個(gè)字節(jié)，可進(jìn)行頁(yè)編程(一次寫256個(gè)字節(jié))；16個(gè)頁(yè)組成4KB的扇區(qū)，可進(jìn)行扇區(qū)擦除，128個(gè)扇區(qū)組成32KB塊，64KB的組，可以整片擦除。256有8192個(gè)扇區(qū)和512個(gè)塊。 256支持標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口，2/4線SPI，SPI頻率最大104MHz，64位唯一序列號(hào)[詳細(xì)]
相較于EEPROM而言，SPI Flash的存儲(chǔ)空間簡(jiǎn)直就是打開了一個(gè)新世界。以W25Q16為例，16Mb也就是2MB的空間，是AT24C08芯片的1KB空間的2048倍，價(jià)格也沒有相差很多。同時(shí)使用SPI總線可以實(shí)現(xiàn)更高的讀寫速度，W25Qxx的SPI總線可以達(dá)到80MHz，這是IIC總線望塵莫及的，而且我比較喜歡用的STM32單片機(jī)的IIC總線總是讓人[詳細(xì)]
前言：這個(gè)所謂的芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）對(duì)于我這種一根筋的人是很難理解的，一直總覺得CPU是只能在RAM中運(yùn)行程序，為何能夠在Nor Flash中執(zhí)行程序呢，這里面就有個(gè)概念容易混淆，也可能是翻譯理解的問題。所謂片內(nèi)執(zhí)行不是說程序在存儲(chǔ)器內(nèi)執(zhí)行，CPU的基本功能是取指、譯碼、運(yùn)行。Nor Flash能在芯片內(nèi)執(zhí)行，指的是[詳細(xì)]
W25Q64是華邦公司推出的大容量SPI FLASH產(chǎn)品，其容量為64Mb。該25Q系列的器件在靈活性和性能方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過普通的串行閃存器件。W25Q64將8M字節(jié)的容量分為128個(gè)塊，每個(gè)塊大小為64K字節(jié)，每個(gè)塊又分為16個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)4K個(gè)字節(jié)。W25Q64的最小擦除單位為一個(gè)扇區(qū)，也就是每次必須擦除4K個(gè)字節(jié)。所以，這需要給W2[詳細(xì)]
1.SPI是串行外圍設(shè)備接口。SPI的接口主要應(yīng)用在EEPROM，F(xiàn)LASH，實(shí)時(shí)時(shí)鐘， AD 轉(zhuǎn)換器，還有數(shù)字信號(hào)處理器和數(shù)字信號(hào)解碼器之間。2. SPI，是一種高速的，全雙工，同步的通信總線，3.芯片的管腳上只占用四根線， STM32 也有 SPI 接口。4.Master與Slave :主機(jī)與從機(jī)。5.SPI 接口一般使用 4 條線通信：MISO 主設(shè)備[詳細(xì)]
穎特新為winbond戰(zhàn)略合作伙伴，華邦代理商。負(fù)責(zé)華邦解決方案系列在中國(guó)區(qū)的推廣，解決客戶在使用華邦系列產(chǎn)品中存在的問題。聯(lián)系電話：0755-82591179，在線QQ：83652985 W25Q128是華邦公司推出的大容量SPI FLASH 產(chǎn)品，W25Q128的容量為128Mb。擦寫周期多達(dá)10W次，具有20年的數(shù)據(jù)保存期[詳細(xì)]
一、引腳介紹引腳名稱引腳功能CLE 命令鎖存功能ALE 地址鎖存功能/CE 芯片使能/RE 讀使能/WE寫使能/WP寫保護(hù)R/B 就緒/忙輸出信號(hào)Vcc電源Vss地N.C不接IO0~IO7傳輸數(shù)據(jù)、命[詳細(xì)]
1引言NOR FLASH 是很常見的一種存儲(chǔ)芯片，數(shù)據(jù)掉電不會(huì)丟失。NOR FLASH 支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH 片內(nèi)執(zhí)行。這點(diǎn)和NAND FLASH 不一樣。因此，在嵌入是系統(tǒng)中，NOR FLAS H 很適合作為啟動(dòng)程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。NOR FLAS H 的讀取和RAM很類似，但不可以直接進(jìn)行寫操作。對(duì)NOR FLAS H 的寫操作需要遵[詳細(xì)]
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布全新的SPI NOR Flash --- GD25WDxxCK產(chǎn)品系列正式量產(chǎn)，它是業(yè)界首款采用1.5mm′1.5mm USON8最小封裝，并支持1.65V至3.6V的低功耗寬工作電壓的產(chǎn)品。作為GigaDevice久經(jīng)市場(chǎng)驗(yàn)證的1.8V、2.5V、3.0V SPI NOR Flash產(chǎn)品系列的有效補(bǔ)充，這款全新的寬電壓、超小[詳細(xì)]
1、閃存基本介紹Flash存儲(chǔ)是存儲(chǔ)界的新人和紅人。Flash存儲(chǔ)系統(tǒng)由于其優(yōu)異的性能、高效的存儲(chǔ)密度和出色的節(jié)能特性使得Flash存儲(chǔ)有望替代機(jī)械磁盤成為企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的核心。未來很有可能所有的數(shù)據(jù)都會(huì)存儲(chǔ)在Flash存儲(chǔ)介質(zhì)上面，包括銀行、中小企業(yè)、互聯(lián)網(wǎng)、電信等存儲(chǔ)大戶。紫外線可擦除存儲(chǔ)器當(dāng)年沉迷于電子設(shè)計(jì)[詳細(xì)]
本文主要介紹如何對(duì)Nand Flash進(jìn)行測(cè)試，適用與華邦品牌，也適用其它同行品牌。FT : Design For TestabilityTTR :Test Time ReductionKGD: Known Good DieNAND Flash 芯片測(cè)試主要是為了篩選（Screen Out）出Flash陣列、譯碼器、寄存器的失效。測(cè)試流程（Test Flow）從wafer level，到single component level、[詳細(xì)]
W25Q80(SPI)產(chǎn)品特性：W25Q80是臺(tái)灣華邦電子（Winbond）生產(chǎn)的8M-bit串列flash晶片。主要特性有：工作電壓：2.5 ~ 3.6 V功耗：讀寫（active）時(shí)4mA，低功耗（power-down）時(shí)<1μA容量：8M-bit/1M-byte，包含4096個(gè)頁(yè)（每頁(yè)大小256位元組）介面：Standard/Dual/Quad SPI，支援時(shí)鐘頻率最高104MHz支援以4/32/6[詳細(xì)]
特點(diǎn)簡(jiǎn)介：SRAM ： 靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點(diǎn)是一個(gè)內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多，因而價(jià)格昂貴，容量不大。 DRAM： 動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，容量大。 SDRAM ：同步動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，速度較快，容量大。 DDR SDRAM： 雙通道同步動(dòng)態(tài)RAM，需要刷新，[詳細(xì)]
內(nèi)存供貨商旺宏電子(Macronix)，6月15日舉行股東會(huì)，董事長(zhǎng)吳敏求表示，NOR Flash與NAND Flash內(nèi)存的需求持續(xù)滿載，工業(yè)與車用的比例將進(jìn)一步提升。吳敏求指出，F(xiàn)lash內(nèi)存在汽車與工業(yè)應(yīng)用的比重將持續(xù)增加，由目前的26% 提升至約30%左右；此外，在NOR Flash方面，目前在日本市場(chǎng)的市占率已超過50%，而公司的目[詳細(xì)]
作為一位資深銷售員工，今天和大家交流交流LPDDR4相比于LPDDR3的差異，感興趣的機(jī)油不妨一同來學(xué)習(xí)一下哦~~ Die的設(shè)計(jì)改進(jìn)LPDDR4的本質(zhì)還是DRAM，其基本的存儲(chǔ)單元電容并加mos開關(guān)的方式并未發(fā)生變化。為了獲取更快的讀寫速度，僅僅提升外部的總線吞吐能力是不行的，LPDDR4在die的設(shè)計(jì)上做了改進(jìn)優(yōu)化，來配[詳細(xì)]
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