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Nand Flash因為其電氣特性，讀和寫是按頁來讀取的，而擦除是按照塊來擦除的，了解這些，我們就比較容易去理解Nand Flash的擦寫次數(shù)與使用壽命。通常，一個對NAND的寫操作包括如下步驟:1) 從NAND中讀取一個頁面，內(nèi)容放入NANDflash的寄存器中。2) 更新寄存器中的內(nèi)容3) 找一個空白頁4)[詳細]
相較于EEPROM而言，SPI Flash的存儲空間簡直就是打開了一個新世界。以W25Q16為例，16Mb也就是2MB的空間，是AT24C08芯片的1KB空間的2048倍，價格也沒有相差很多。同時使用SPI總線可以實現(xiàn)更高的讀寫速度，W25Qxx的SPI總線可以達到80MHz，這是IIC總線望塵莫及的，而且我比較喜歡用的STM32單片機的IIC總線總是讓人[詳細]
什么是固態(tài)硬盤固態(tài)驅動器（Solid State Disk或Solid State Drive，簡稱SSD），俗稱固態(tài)硬盤，固態(tài)硬盤是用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，是由FLASH閃存作為基礎存儲介質的存儲設備，SSD由控制單元和存儲單元（FLASH芯片、DRAM芯片）組成。被廣泛應用于軍事、車載、工控、視頻監(jiān)控、網(wǎng)絡監(jiān)控、網(wǎng)絡終端、電[詳細]
穎特新科技訊：2019年9月2日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking®架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。作為中國首款64層3DNAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團展臺[詳細]
FLASH閃存目前有兩種類型分別是NOR和NAND，1988年inter首先開發(fā)出NOR flash技術，緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級?，F(xiàn)在就來講講二者的主要區(qū)別吧。一.存儲區(qū)別NOR的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行，這樣應用程序可以接在flash閃存內(nèi)運[詳細]
RAS： Row Address Strobe，行地址選通脈沖；CAS： Column Address Strobe，列地址選通脈沖；tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延遲；CL： CAS Latency，CAS潛伏期（又稱讀取潛伏期），從CAS與讀取命令發(fā)出到第一筆數(shù)據(jù)輸[詳細]
三星半導體的eUFS有哪些呢？以下是穎特新工程師為客戶整理的SamSung 常用eUFS 型號列表，可方便客戶選型。Part NumberVersionDensityVoltagePackage SizeKLUBG4G1ZF-B0CPUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUBG4G1ZF-B0CQUFS 2.132GB1.8 / 3.3 V11.5 x 13 x 1.2 mmKLUCG2K1EA-B0C1UFS 2.164GB1.8 / 3.3[詳細]
單片機的分為數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器。單片機內(nèi)部的存儲器稱為片內(nèi)存儲器，片外擴展的存儲器成為片外存儲器。比如8031內(nèi)部有數(shù)據(jù)存儲器而沒有程序存儲器，所以它一般要外接一塊程序存儲芯片，內(nèi)部的數(shù)據(jù)存儲器叫做9031的片內(nèi)存儲器，外部擴展的存儲芯片叫做片外存儲器。早期，片內(nèi)存儲器，還是片外存儲器，確實[詳細]
關于程序的執(zhí)行，以前想的不多，沒有意識到一個程序在運行時，從哪里讀指令，數(shù)據(jù)又寫在哪里。最近在看CSAPP時這個念頭經(jīng)常在腦袋中晃蕩。從單片機上知道，在上電的那一刻，MCU的程序指針PC會被初始化為上電復位時的地址，從哪個地址處讀取將要執(zhí)行的指令，由此程序在MCU上開始執(zhí)行(當然在調用程序的 main之前[詳細]
在硬件工程師和普通用戶看來，內(nèi)存就是插在或固化在主板上的內(nèi)存條，它們有一定的容量——比如64 MB。但在應用程序員眼中，并不過度關心插在主板上的內(nèi)存容量，而是他們可以使用的內(nèi)存空間——他們可以開發(fā)一個需要占用1 GB內(nèi)存的程序，并讓其在OS平臺上運行，哪怕這臺運行主機上只[詳細]
預備知識—程序的內(nèi)存分配一個由C/C++編譯的程序占用的內(nèi)存分為以下幾個部分棧區(qū)(stack)— 由編譯器自動分配釋放，存放函數(shù)的參數(shù)值，局部變量的值等。其操作方式類似于數(shù)據(jù)結構中的棧。堆區(qū)(heap) — 一般由程序員分配釋放，若程序員不釋放，程序結束時可能由OS回收 。注意它與數(shù)據(jù)結[詳細]
剛學單片機的學長告訴我單片機的晶振電路中就是用22pf或30pf的電容就行，聽人勸吃飽飯吧，照著焊電路一切ok，從沒想過為什么，知其所以然而不知其為什么所以然，真是悲哀，最近狀態(tài)好像一直不太好，也難以說清楚為什么，前幾天跟著老師去別的實驗室聽課，其實也就是聽一聽老師和師傅給別的實驗室的同學講嵌入式[詳細]
梳理下下ARM代碼編譯鏈接的工作流程，以及過程中需要的相關概念信息，不具體關注編譯鏈接的具體命令。一、編譯過程編譯過程就是把源代碼編譯生成目標代碼的過程。而采用ARM編譯命令，可以將源代碼編譯成帶有ELF格式的目標文件。除了編譯命令可以選擇相應的編譯選項之外，源代碼中的pragmas以及特別的關[詳細]
JTAG不僅僅用于調試和下載程序你可能熟悉JTAG是因為你使用過帶有JTAG接口的工具。處理器經(jīng)常使用JTAG來實現(xiàn)調試/仿真功能，而且所有的FPGA和CPLD都利用JTAG來實現(xiàn)下載程序功能。JTAG不僅僅是一種用于處理器調試/仿真的技術JTAG不僅僅是一種為FPGA/CPLD下載程序的技術通常與JTAG有關的調試和編程工具[詳細]
一、ARM的指令結構1、ARM匯編程序組成：匯編指令+偽操作+宏指令(instruction directive pseudo-instruction);偽操作：定義符號、數(shù)據(jù)等使用宏指令：使用宏定義指令方式2、匯編指令的組成：操作碼、操作條件(根據(jù)CPSR中的N、Z、C、V等標志)、操作數(shù)(源、目的/地址或寄存器)、條件、地址變化等等;3、[詳細]
源于一年前想自己動手給51寫個OS，編譯選Large模式，調試時整個流程都跑的好好的，可是燒寫到片上后得不到預期的效果，后來查書才知道51單片機片上只有4KRom，如果沒有擴展片外Rom，當訪問4K以外的程序空間，程序指針又會回到最開始執(zhí)行。參考手冊擴展片外Rom后，能訪問達64K的程序空間。網(wǎng)上能搜索到的擴展方式[詳細]
啟動代碼通常都燒寫在flash中，它是系統(tǒng)一上電就執(zhí)行的一段程序，它運行在任何用戶c代碼之前。上電后，arm處理器處于arm態(tài)，運行于管理模式，同時系統(tǒng)所有中斷被禁止，pc到地址0處取指令執(zhí)行。一個可執(zhí)行映像文件必須有個入口點，而能放在rom起始處的映像文件的入口地址也必須設置為0.在匯編語言中，我們已經(jīng)說[詳細]
上一文中擴展了單片機的程序存儲器，4KB存儲空間提升到64KB。其實，4K的代碼空間還湊合，但是51自帶的256B數(shù)據(jù)存儲空間使用起來還真緊張，其中留給用戶的連128B都不到，所以不得不擴展片外RAM。擴展RAM方法和擴展ROM差不多，都是占用P0/P2口做地址線，同時P0用鎖存器74373分時復用地址和數(shù)據(jù)信號。以前擴展RAM是[詳細]
JTAG是最基本的通訊協(xié)議之一，大家可以理解為與RX TX或者USB的道理是一樣的，只是一種通訊手段，但與RX TX以及USB有很重大的不同，那就是這個JTAG協(xié)議是最底層的，說的通俗一點，一般來說，手機里邊，CPU是老大，對吧?但在JTAG面前，他就不是老大了，JTAG協(xié)議就是用來控制CPU的，在JTAG面前CPU變成嘍啰了。一?a title="JTAG的作用和原理" href="http://www.newstalk570.com/danpianjirumen/54421.shtml" class="float-end">[詳細]
Startup code：啟動代碼。在Keil中，啟動代碼在復位目標系統(tǒng)后立即被執(zhí)行。啟動代碼主要實現(xiàn)以下功能：(1) 清除內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲器(2) 清除外部數(shù)據(jù)存儲器(3) 清除外部頁存儲器(4) 初始化small模式下的可重入棧和指針(5) 初始化large模式下的可重入棧和指針(6) 初始化compact模式下的可重入棧和指針(7) 初始化[詳細]
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