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現(xiàn)在手機集成度越來越高，今天穎特新科技給大家介紹下集成度更高的兩種芯片：國產(chǎn)的eMCP與國產(chǎn)的uMCP，這兩者都與之前介紹的eMMC、UFS和LPDDR有一定的關(guān)系。國產(chǎn)的eMCP是結(jié)合eMMC和LPDDR封裝而成的智慧型手機記憶體標(biāo)準(zhǔn)，與傳統(tǒng)的MCP相較之下，eMCP因為有內(nèi)建的NAND Flash控制晶片，可以減少主晶片運算的負(fù)擔(dān)，[詳細(xì)]
摘要： eMCP(eMMC+LPDDR3)8GB+8Gb，新料目前報價約在$6.3美金上下浮動，同等容量回收的eMCP8GB+8Gb，行業(yè)內(nèi)報價在18人民幣左右，這就決定了eMCP在芯片回收領(lǐng)域大有可為。一顆集成電路芯片的生命歷程就是點沙成金的過程：芯片公司設(shè)計芯片---芯片代工廠生產(chǎn)芯片---封測廠封裝測試---整機商采購芯片用于整機生產(chǎn)。[詳細(xì)]
12月22日，國民技術(shù)發(fā)布公告稱：2018年初對自己收購的斯諾實業(yè)承諾，2018年度實現(xiàn)凈利潤數(shù)額不低于人民幣1.8億元。如今恐怕無法完成業(yè)績承諾，且差異較大，國民技術(shù)將承擔(dān)補償。一年前買了前海旗隆5億元理財產(chǎn)品，遭遇人去樓空的黑天鵝事件；隨后投資“半導(dǎo)體生態(tài)園”，但是被重要投資人坑了一把；最后又玩跨界[詳細(xì)]
1999年，中國芯“909”工程啟動，為了配套華虹集團(tuán)的8寸線制造，國家選擇了8家芯片設(shè)計領(lǐng)域的種子選手，最牛逼的特長班尖子生，進(jìn)行重點培養(yǎng)。 光陰荏苒，歲月如梭，快20年過去了，這些種子選手們長成參天大樹了嗎？ 歷史會銘記這8家企業(yè)的試點和貢獻(xiàn)，它們分別是：深圳市國微電子有限公司、華為集成[詳細(xì)]
嫦娥四號成功登陸月背，引發(fā)了國內(nèi)外無數(shù)目光的注視，此次“登月”的過程中，地面上也有數(shù)十雙天線和雷達(dá)組成的“眼睛”在時刻關(guān)注著“嫦娥”，它們都是由中國電科研制。此外，中國電科還為“嫦娥”配備了眾多關(guān)鍵核心器件，為其精確探測保駕護(hù)航，如深空測控系統(tǒng)低溫接收機，混合步進(jìn)電機，宇航用電纜，壓力傳[詳細(xì)]
美國國家長期安全和經(jīng)濟繁榮至關(guān)重要的22項技術(shù)中有6項與傳感器信息處理技術(shù)直接相關(guān)。美國空軍15項有助于提高21世紀(jì)空軍能力關(guān)鍵技術(shù)，傳感器技術(shù)名列第二。美國的芯片技術(shù)，一般都是先用于軍事，然后再普及到民用；所以，在眾多的上市公司里，藏著無數(shù)的隱形冠軍！比如，下面這家芯片和系統(tǒng)公司就成功的讓波音[詳細(xì)]
2018年5月，在歷經(jīng)周折后，貝恩資本聯(lián)合海力士收購東芝存儲芯片部門，現(xiàn)代集團(tuán)+SK旗下的海力士一躍成為暨三星之后芯片行業(yè)最耀眼的明星企業(yè)。 在禁運風(fēng)險之下，中國整機企業(yè)辛辛苦苦建立的以經(jīng)濟利益為核心的供應(yīng)鏈，可能一文不值。也許，他們不知道的是，當(dāng)下芯片領(lǐng)域最牛逼的玩家，有些居然還是裁判員。[詳細(xì)]
據(jù)《電子時報》2月15日報道，全球第三大代工廠格羅方德可能在去年裁員之后面臨被出售的命運。誰是格羅方德？格羅方德（格芯）的前身是AMD的foundry部門，由于AMD前些年被Intel壓的喘不過氣來，自然也帶不動這么龐大，又不賺錢的部門，于是一甩手把它賣給中東的阿布扎比財團(tuán)。在石油資本的支持下，2009年成立的格[詳細(xì)]
2019年1月，知名咨詢機構(gòu)Gartner發(fā)布2018年全球半導(dǎo)體營收和25強榜單，2018年全年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總營收達(dá)4767億美元，同比增長13.4%。 三星繼續(xù)擴大對英特爾的領(lǐng)先優(yōu)勢，差距從11億美元到了100億美元，三星狂飆勢不可擋。而SK海力士則以38.2%的成長率力壓群雄榮膺增長冠軍！ 值得一提的是，除了聯(lián)發(fā)[詳細(xì)]
出生于1947年的冷戰(zhàn)元年，成名于美日貿(mào)易戰(zhàn)，再度受命于中美貿(mào)易談判，試圖通過芯片和軟件兩大致命殺器，從而成功扮演引領(lǐng)和重塑兩大經(jīng)濟體關(guān)系的關(guān)鍵角色。 具有諷刺意味的是，萊特希澤曾在1991年代表中國機電產(chǎn)品進(jìn)出口商會，與美國政府打過貿(mào)易官司，這種大心臟，不就是傳說中的翻手為云覆手為雨？&nbs[詳細(xì)]
據(jù)上海證券報報道，中國移動2019年5G一期無線工程設(shè)計及可行性研究服務(wù)集采工作已經(jīng)啟動。這是5G牌照發(fā)放后，我國的第一輪5G集中采購計劃。中國移動人士表示，2019年5G一期無線工程設(shè)計及可行性研究服務(wù)預(yù)估工程費1（設(shè)計費計價基數(shù)）為192.578億元（不含稅）；預(yù)估工程費2（可研計價基數(shù)）為192.578億元（不含[詳細(xì)]
2019年1月25日，加拿大廣播公司CBC的報道，加拿大政府準(zhǔn)備給諾基亞4000萬加元（約2億元人民幣），這筆錢用于5G的技術(shù)研究。曾經(jīng)赫赫有名的全球通信大國，卻落得求助芬蘭的下場，這是不是冥冥之中的報應(yīng)呢？ 加拿大曾經(jīng)的科技圖騰北電網(wǎng)絡(luò)，一部分成為愛立信的賺錢機器，一部分成為蘋果微軟的專利收益紅利；[詳細(xì)]
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面從而確保內(nèi)存穩(wěn)定，另外，DDR4內(nèi)存的金手指設(shè)計也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。當(dāng)然[詳細(xì)]
DDR=Double Data Rate，即雙倍數(shù)據(jù)速率。DDRSDRAM=雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，人們習(xí)慣稱為DDR。其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展[詳細(xì)]
SDR：Single Data Rate, 單倍速率DDR：Dual Data Rate， 雙倍速率QDR：Quad Data Rate， 四倍速率DRAM：Dynamic RAM， 動態(tài)隨機存儲器， 每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)才能夠保存數(shù)據(jù)SRAM：Static RAM， 靜態(tài)隨機存儲器， 靜態(tài)隨機存儲器，不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會丟失SDRAM: Synchronous DRAM， 同步狀態(tài)隨機[詳細(xì)]
DRAM內(nèi)部分割成多個L-Bank，每個L-Bank形狀相同，彼此獨立，可以獨立工作。早期的DRAM芯片內(nèi)部分為2個L-Bank，后來是4個，DDR3內(nèi)存芯片為8個。在進(jìn)行尋址時需要先確定是哪個L-Bank，然后再在這個選定的L-Bank中選擇相應(yīng)的行與列進(jìn)行尋址。對內(nèi)存的訪問，一次只能是一個L-Bank，而每次與CPU交換的數(shù)據(jù)就是 L-Ban[詳細(xì)]
1.NAND顆粒：浮柵極物理結(jié)構(gòu)單元，通過電壓驅(qū)動電子，由電壓值來判定bit位0或1。分為SLC、MLC、TLC三種flash顆粒，擦除次數(shù)分別為1萬-10萬、1千-1萬、幾百-1千次。壽命是NAND Flash的最大問題，其次是由于特殊的結(jié)構(gòu)，擦除時延較大，在大量寫的時候由于垃圾回收機制導(dǎo)致較大時延，但由于HDD的存在，NAND Flash在[詳細(xì)]
NAND FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖見圖1，可見每個Bit Line下的基本存儲單元是串聯(lián)的，NAND讀取數(shù)據(jù)的單位是Page，當(dāng)需要讀取某個Page時，F(xiàn)LASH 控制器就不在這個Page的Word Line施加電壓，而對其他所有Page的Word Line施加電壓（電壓值不能改變FloatingGate中電荷數(shù)量），讓這些Page的所有基本存儲單元的D和S導(dǎo)通，而我們[詳細(xì)]
NOR FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖圖1，可見每個Bit Line下的基本存儲單元是并聯(lián)的，當(dāng)某個Word Line被選中后，就可以實現(xiàn)對該Word的讀取，也就是可以實現(xiàn)位讀?。碦andom Ａccess），且具有較高的讀取速率，圖2是一個3*8bit的NOR FLASH的原理結(jié)構(gòu)圖，圖3是沿Bit Line切面的剖面圖，展示了NOR FLASH的硅切面示意圖，這種并[詳細(xì)]
NOR(或非)和NAND(與非)是市場上兩種主要的Flash閃存，sNORFLASH 和CPU之間不需要其他電路控制，NOR flash可以芯片內(nèi)執(zhí)行程序，而NAND FLASH 和CPU 的接口必須由相應(yīng)的控制電路進(jìn)行轉(zhuǎn)換， NAND FLASH 以塊的方式進(jìn)行訪問，不支持芯片內(nèi)執(zhí)行。 NAND FLASH 比NOR FLASH 容量大，價格低， NAND flash中每個塊的[詳細(xì)]
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