Micron美光DDR4內(nèi)存代理商,美光MT40A8G4CLU-075H DDR4現(xiàn)貨/期貨銷售,可提供技術(shù)支持。[詳細(xì)]
Micron美光DDR4內(nèi)存代理商,美光MT40A8G4VNE-062H DDR4現(xiàn)貨/期貨銷售,可提供技術(shù)支持。[詳細(xì)]
美光推出業(yè)界首款使用1z nm技術(shù),容量高達 16Gb的 LPDDR4X。同時提供基于UFS多芯片封裝的uMCP4,功耗更低能有效延長電池壽命,有更小的尺寸能夠應(yīng)用于更薄的外形設(shè)計。美光的1z nm LPDDR4X產(chǎn)品擁有業(yè)界最低的功耗,同時提供高達4266 Mbps速度。與上一代產(chǎn)品相比,功耗降低了10%。作為業(yè)界目前可用的最高容量單[詳細(xì)]
據(jù)麥姆斯咨詢報道,在2019年慕尼黑上海電子展(Electronica China)期間,博世集團全資子公司Bosch Sensortec舉行了一年一度的媒體見面會,Bosch Sensortec亞太區(qū)總裁Fouad Bennini博士和市場部全球副總裁Peter Weigand博士出席了媒體見面會,分享了博世全新的全球物聯(lián)網(wǎng)主題:如博世提倡的生活方式一樣生活Liv[詳細(xì)]
村田代理穎特新科技帶您了解GQM系列與GRM系列的區(qū)別,他們最大的區(qū)別在于其結(jié)構(gòu)的不同。(請參照圖1)GRM系列產(chǎn)品的內(nèi)部電極使用的為鎳(Ni)、鈀(Pd)和銀鈀(AgPd)、而GQM系列產(chǎn)品則使用電阻率較低的銅(Cu)、從而實現(xiàn)了電容器的低ESR(等價串聯(lián)電阻)化。因此,GQM系列產(chǎn)品的Q值較高(HI-Q)、電力容量較大。產(chǎn)品一覽GR[詳細(xì)]
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