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根據(jù)ABI的研究表明，在2021年支持NFC功能的設(shè)備的出貨量首次超過(guò)10億臺(tái)。ABI預(yù)計(jì)該市場(chǎng)在未來(lái)十年將繼續(xù)增長(zhǎng)，到2026年將達(dá)到16億臺(tái)。是什么在推動(dòng)NFC市場(chǎng)的突破？眾所周知，在過(guò)去的二十年里，NFC并未受到特定監(jiān)管機(jī)構(gòu)的監(jiān)管，也沒(méi)有成熟的移動(dòng)非接觸支付生態(tài)系統(tǒng)。所以從市場(chǎng)體量上來(lái)講一直不溫不火，主要目標(biāo)[詳細(xì)]
根據(jù)算力的需求，人工智能（AI）技術(shù)主要分為云端AI處理和端側(cè)的AI處理。在集中式人工智能解決方案中，嵌入式設(shè)備（智能音箱、可穿戴設(shè)備等）通常依賴(lài)云服務(wù)器實(shí)現(xiàn)人工智能能力。而在邊緣AI解決方案中，嵌入式設(shè)備本身即可在本地運(yùn)行人工智能算法，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)環(huán)境感知、人機(jī)交互、決策控制等功能。由于數(shù)據(jù)傳輸延[詳細(xì)]
意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)應(yīng)用持續(xù)長(zhǎng)期投資SiC市場(chǎng)，意法半導(dǎo)體迎接未來(lái)增長(zhǎng)意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶體管「MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本元器件。」，推[詳細(xì)]
以45.8mm x 8.3mm 的纖薄主板為亮點(diǎn)，意法半導(dǎo)體STEVAL-IOD04KT1工業(yè)傳感器套件可簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)者為獨(dú)立于現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)雙向通信應(yīng)用開(kāi)發(fā)緊湊的IO-Link (IEC61131-9) 傳感器。該主板集成了意法半導(dǎo)體的STM32G0微控制器和L6364W IO-Link收發(fā)器、IIS2MDC高精度3軸數(shù)字輸出磁力計(jì)，以及內(nèi)嵌機(jī)器學(xué)習(xí)核心的ISM330DHCX[詳細(xì)]
ST-ONE電源控制器結(jié)合ST的 MasterGaN 技術(shù)，打造有能量回收功能、空前節(jié)能的筆記本電腦/智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體推出新款 ST-ONE 電源芯片，通過(guò)其新一代的創(chuàng)新技術(shù)，提升個(gè)人計(jì)算產(chǎn)品的可持續(xù)性。這款新芯片將提高各種AC-DC適配器的能效，完全符合USB-PD 3.1標(biāo)準(zhǔn)，包括筆記本電腦和智能手機(jī)充電器。采用[詳細(xì)]
BPF8089-01SC6是一種集成射頻前端，其輸入阻抗匹配電路位于STA8089和STA8090低噪聲放大器輸入端和天線(xiàn)之間，用于全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)(GNSS)接收機(jī)。該器件嵌入了與ESD保護(hù)相關(guān)的匹配網(wǎng)絡(luò)，以便根據(jù)EOS和ESD標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)STA8089和STA8090 LNA輸入。作為ASIP(專(zhuān)用集成無(wú)源)系列產(chǎn)品的組成部分，采用SOT23-6L封裝，可與自[詳細(xì)]
意法半導(dǎo)體是無(wú)線(xiàn)充電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商之一 ，從一開(kāi)始便為全球領(lǐng)先的智能手機(jī)制造商提供無(wú)線(xiàn)充接收器，擁有獨(dú)特的BCD工藝，是無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（WPC）的主要成員之一，擁有行業(yè)首創(chuàng)及領(lǐng)先的創(chuàng)新型無(wú)線(xiàn)充電解決方案； ST 70W+無(wú)線(xiàn)充電接收器隨技術(shù)的發(fā)展，無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)得到快速普及，意法半導(dǎo)體的STWLC98高[詳細(xì)]
2022 年 7 月 4 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體擴(kuò)大 NanoEdge AI Studio機(jī)器學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)軟件的支持設(shè)備范圍，新增包含意法半導(dǎo)體嵌入式智能傳感器處理單元 (ISPU) 的智能傳感器。新版擴(kuò)展了這一獨(dú)步市場(chǎng)的機(jī)器學(xué)習(xí)工具的功能性，讓AI人工智能模型能夠直接在設(shè)備上學(xué)習(xí)，在智能傳感器上發(fā)現(xiàn)異常事件?，F(xiàn)在，設(shè)計(jì)人員可以用[詳細(xì)]
以高能效的同步變換拓?fù)錇樘匦裕夥ò雽?dǎo)體同步降壓DC/DC變換器STPD01具有數(shù)字編程功能，適合最大功率60W的USB Power Delivery (PD)供電應(yīng)用。STPD01的輸入電壓范圍是6V 至 26.4V，寬壓輸入讓客戶(hù)能夠靈活地開(kāi)發(fā)交流多端口電源適配器、USB 集線(xiàn)器、PC 顯示器和智能電視。輸出電壓值可通過(guò)I2C接口設(shè)置，調(diào)壓范圍[詳細(xì)]
意法半導(dǎo)體 ISOSD61和ISOSD61L是高精度隔離式二階sigma-delta調(diào)制器，可提高電機(jī)控制、電動(dòng)汽車(chē)充電站、太陽(yáng)能逆變器、UPS電源以及服務(wù)器和電信電源等工業(yè)應(yīng)用的性能和可靠性。 ISOSD61具有TTL/CMOS兼容的時(shí)鐘輸入和數(shù)據(jù)輸出信號(hào)電平，而ISOSD61L則兼容低壓差分信號(hào)(LVDS)。兩款產(chǎn)品的模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)分辨率[詳細(xì)]
2022年7月1日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體 TSB622 通用低功耗雙算放大器(運(yùn)放)增強(qiáng)在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中的魯棒性和靈活性。TSB622的單位增益穩(wěn)定，工作溫度范圍擴(kuò)至 -40°C 至 125°C，取得了車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，支持2.7V 至 36V 的寬電源電壓，設(shè)計(jì)人員可以用同一器件設(shè)計(jì)有不同電壓域的多種應(yīng)用，軌到軌輸出最大限度地提高動(dòng)[詳細(xì)]
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出帶有集成DC/DC轉(zhuǎn)換器的ALED6000單芯片汽車(chē)LED驅(qū)動(dòng)器。這種驅(qū)動(dòng)器是一種低成本解決方案，可實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)靈活性并在車(chē)輛內(nèi)部電氣條件波動(dòng)時(shí)保持照明強(qiáng)度一致。ALED6000還適用于外部照明，例如日間行車(chē)燈、前燈、尾燈、剎車(chē)燈和轉(zhuǎn)向信號(hào)燈以及內(nèi)部照明，可支持高達(dá)3A的電流驅(qū)動(dòng)單[詳細(xì)]
據(jù)電子時(shí)報(bào)，消息人士透露，Global Foundries 與意法半導(dǎo)體 (STM) 考慮在法國(guó)政府補(bǔ)助下，合作興建一座半導(dǎo)體晶圓廠，以協(xié)助達(dá)成歐盟執(zhí)行委員會(huì) (EC) 到 2030 年將該地區(qū)芯片生產(chǎn)。今年 2 月，歐盟公布了備受關(guān)注的《芯片法案》，計(jì)劃向新一代芯片工廠投資 430 億歐元（約合 490 億美元），以提升歐盟在全球的芯[詳細(xì)]
STNRG012是適合90W-300W 功率轉(zhuǎn)換器的理想控制器，符合最嚴(yán)格的節(jié)能要求。該控制器采用專(zhuān)利型邏輯，即使在低負(fù)載條件下也能確保非常高的PF和一流的THD。能夠在交流和直流電壓輸入之間即時(shí)轉(zhuǎn)換，非常適合采用電池組備用電源的LED照明應(yīng)用。STNRG012提供各種功能塊的復(fù)雜控制，以確保所有負(fù)載間的高效轉(zhuǎn)換和高度可[詳細(xì)]
新推出的SMB15F系列1,500 W瞬態(tài)電壓抑制二極管（采用SMB Flat封裝）已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證。與SMC封裝相比，SMB Flat封裝的體積減少了50%。除了空間方面的改進(jìn)，價(jià)格更有優(yōu)勢(shì)，為企業(yè)節(jié)約了預(yù)算。此外，更小的尺寸有利于提高功率密度和提高效率。事實(shí)上，SMB15F系列的泄漏電流比競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品大約低五倍。因此，這些1500 W器件[詳細(xì)]
公司經(jīng)常會(huì)忽視工業(yè)應(yīng)用小型化、密集化的趨勢(shì)。隨著消費(fèi)者產(chǎn)品的功能日益豐富，工業(yè)控制系統(tǒng)自然也不能例外。因此，意法半導(dǎo)體推出了CLT03-1SC3和CLT03-2Q3。這兩款用于數(shù)字輸入的限流器可大大減少散熱。它們也兼容低電壓輸出等不需要光電耦合器的應(yīng)用，期間無(wú)需使用額外的組件，即可輕松構(gòu)建更具成本效益的工廠[詳細(xì)]
5月13日，意法半導(dǎo)體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長(zhǎng)期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)主導(dǎo)了早期射頻功率放大器(PA)。對(duì)于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，[詳細(xì)]
據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM）近日推出了帶有智能傳感器處理單元（intelligent sensor processing unit，ISPU）的新型MEMS慣性傳感器：ISM330ISN，為在線(xiàn)生活（“onlife”）時(shí)代賦能：與訓(xùn)練有素的智能設(shè)備交互，將智能從“在邊緣上（[詳細(xì)]
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。IGBT驅(qū)動(dòng)器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器STGAP2SICD 利用意法半導(dǎo)體最新的電隔離技術(shù)，采用SO-36W 寬體封裝，能夠耐受6kV瞬變電壓。此外，±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止在高電噪聲工[詳細(xì)]
意法半導(dǎo)體發(fā)布了IPS1025H和IPS1025H-32單通道可編程高邊開(kāi)關(guān)。這兩款開(kāi)關(guān)內(nèi)置欠壓保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)功能，能夠智能驅(qū)動(dòng)高啟動(dòng)電流的容性負(fù)責(zé)、阻性負(fù)責(zé)或感性負(fù)載。IPS1025H和IPS1025H-32的不同之處在于內(nèi)部可編程限流大小。IPS1025H的限流值是2.5A，而 IPS1025H-32則限流5.7A。除了主限流之[詳細(xì)]
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