半導(dǎo)體設(shè)備出貨 16年來新高
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）24日公布4月份北美半導(dǎo)體設(shè)備商出貨金額達(dá)21.745億美元，較3月份的20.797億美元成長(zhǎng)4.6％，與去年同期的14.602億美元相較、大幅成長(zhǎng)48.9％，不僅連續(xù)3個(gè)月維持成長(zhǎng)，亦創(chuàng)下2001年3月以來的逾16年新高紀(jì)錄。
SEMI臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，半導(dǎo)體設(shè)備出貨水平已連續(xù)3個(gè)月維持成長(zhǎng)，且連續(xù)兩個(gè)月超過20億美元，除顯示半導(dǎo)體市場(chǎng)基本面穩(wěn)固之外，數(shù)據(jù)存取內(nèi)存及智能手機(jī)處理器的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求，已帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備的大量投資。
法人表示，半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額持續(xù)創(chuàng)高，將帶動(dòng)半導(dǎo)體資本支出概念股表現(xiàn)，包括無塵室工程設(shè)備廠漢唐、晶圓傳載供貨商家登、設(shè)備代工廠京鼎及帆宣、半導(dǎo)體檢測(cè)廠閎康及宜特等今年?duì)I運(yùn)看旺。
全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料日前公告第2季財(cái)報(bào)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，主要受惠于晶圓代工廠10奈米及7奈米等先進(jìn)制程投資持續(xù)擴(kuò)大，DRAM廠今年轉(zhuǎn)進(jìn)1x奈米同步擴(kuò)大投備投資，加上NAND Flash廠全力搶進(jìn)3D NAND市場(chǎng)，晶圓廠內(nèi)設(shè)備要大幅更新升級(jí)。
應(yīng)用材料也表示接單能見度明朗，在晶圓代工廠及DRAM廠持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)10奈米以下先進(jìn)制程，NAND Flash廠全力調(diào)整產(chǎn)能至3D NAND，設(shè)備市場(chǎng)景氣將一路看好到明年。
業(yè)界人士認(rèn)為，今年半導(dǎo)體設(shè)備需求強(qiáng)勁，最大的需求來自于英特爾、臺(tái)積電、三星等前3大廠，全力搶進(jìn)10奈米及7奈米先進(jìn)制程世代，并且開始建置極紫外光（EUV）微影技術(shù)產(chǎn)能，因此帶動(dòng)設(shè)備金額持續(xù)創(chuàng)高。至于內(nèi)存廠部分，雖然沒有新建晶圓廠的動(dòng)作，但是DRAM制程微縮到1x奈米，3D NAND的產(chǎn)能轉(zhuǎn)換，都帶動(dòng)晶圓廠設(shè)備升級(jí)需求。
SEMI指出，半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額成長(zhǎng)，動(dòng)能主要來自晶圓廠與內(nèi)存廠擴(kuò)充先進(jìn)技術(shù)帶動(dòng)，今年整體半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)期可較去年成長(zhǎng)7.2％，而且未來幾年的年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）還會(huì)穩(wěn)定向上，持續(xù)支撐半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
