三星西安廠事故及智能手機廠沖規(guī)格，NAND 價格暴沖 22%

日經(jīng)新聞20日報導(dǎo)，因中國智能手機廠商紛紛強化產(chǎn)品功能，帶動內(nèi)存需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃內(nèi)存（Flash Memory）交易價格轉(zhuǎn)趨走揚，指標(biāo)性產(chǎn)品6月份批發(fā)價在1個月期間內(nèi)飆漲22%。

報導(dǎo)指出，6月份MLC（Multi-Level Cell）類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元，為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據(jù)英國調(diào)查公司TechNavio指出，2016年全球NAND整體出貨量預(yù)估將年增3成至超過100億個。

據(jù)報導(dǎo)，6月中旬三星位于西安的半導(dǎo)體工廠因附近變電廠爆炸導(dǎo)致電壓不足而一度停工，而該座工廠目前雖已重啟生產(chǎn)，不過據(jù)悉上述變電廠爆炸事件目前仍對供應(yīng)量帶來影響。三星西安工廠主要生產(chǎn)3DNAND Flash。

韓國媒體朝鮮日報日文版6月20日報導(dǎo)，三星關(guān)系人士表示，“就像鄰居水管破裂會造成水壓不足一樣，三星西安工廠部分半導(dǎo)體設(shè)備因感測到電壓下滑，而自動停工，西安工廠半導(dǎo)體產(chǎn)能約10%因此受到影響?！?/p>

韓聯(lián)社7月12日報導(dǎo)，韓國三星電子2016年Q1（2016年1-3月）NAND型快閃內(nèi)存（Flash Memoy）全球銷售額創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，穩(wěn)坐全球龍頭位置。報導(dǎo)指出，根據(jù)IHS的資料顯示，Q1三星NAND Flash銷售額較前一季（2015年Q4）成長3.1%至26.15億美元，增幅是整體市場（成長1.6%）的近2倍水準(zhǔn)，市占率也從前一季的42.0%上揚至42.6%。

排名第二位東芝（Toshiba）市占率雖從24.0%大幅揚升至28.0%，不過與三星之間仍有高達14.6個百分點的差距；第三位為美國美光（Micron）的18.8%、韓國SK Hynix則以10.6%的市占率位居第4位。

編輯：admin  最后修改時間：2018-01-05