您好，歡迎進(jìn)入深圳市穎特新科技有限公司官方網(wǎng)站！
您好，歡迎進(jìn)入深圳市穎特新科技有限公司官方網(wǎng)站！
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
自動(dòng)駕駛系統(tǒng)等高安全級(jí)別的應(yīng)用可通過(guò)冗余設(shè)計(jì)確?？煽啃?，因此與標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)相比，它們集成了更多的器件，需要更多的表貼空間。所以，要進(jìn)一步縮小汽車(chē)設(shè)備的尺寸，需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。
XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGLTM封裝（7.0mm×8.44mm[1]），其特點(diǎn)是采用無(wú)接線(xiàn)柱結(jié)構(gòu)，將源極連接件和外部引腳一體化。源級(jí)引腳的多針結(jié)構(gòu)降低了封裝電阻。
與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM（W）封裝產(chǎn)品[2]相比，S-TOGLTM封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻顯著降低11%。與TO-220SM（W）封裝相比，新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外，采用新型封裝的產(chǎn)品可提供200A漏極額定電流，高于東芝類(lèi)似尺寸的DPAK＋封裝（6.5mm×9.5mm[1]）產(chǎn)品，從而實(shí)現(xiàn)了大電流?？傮w而言，S-TOGLTM封裝可實(shí)現(xiàn)高密度和緊湊布局，縮小汽車(chē)設(shè)備的尺寸，并有助于實(shí)現(xiàn)高散熱。
由于汽車(chē)設(shè)備可能在極端溫度環(huán)境下工作，因此表面貼裝焊點(diǎn)的可靠性是一個(gè)關(guān)鍵考慮因素。S-TOGLTM封裝采用鷗翼式引腳，可降低表貼應(yīng)力，提高焊點(diǎn)的可靠性。
當(dāng)需要并聯(lián)多個(gè)器件為應(yīng)用提供更大工作電流時(shí)，東芝支持這兩款新產(chǎn)品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設(shè)計(jì)使用同一組別的產(chǎn)品，從而減小特性偏差。
東芝將繼續(xù)擴(kuò)展其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線(xiàn)，并通過(guò)用戶(hù)友好型、高性能功率器件為實(shí)現(xiàn)碳中和做出貢獻(xiàn)。
應(yīng)用
- 汽車(chē)設(shè)備：逆變器、半導(dǎo)體繼電器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等
特性
- 新型S-TOGLTM封裝：7.0mm×8.44mm（典型值）
- 高額定漏極電流：
XPJR6604PB：ID＝200A
XPJ1R004PB：ID＝160A
- AEC-Q101認(rèn)證
- 提供IATF 16949/PPAP[4]
- 低導(dǎo)通電阻：
XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53m?（典型值）（VGS＝10V）
XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8m?（典型值）（VGS＝10V）
主要規(guī)格
新產(chǎn)品 | 現(xiàn)有產(chǎn)品 | ||||||
器件型號(hào) | XPJR6604PB | XPJ1R004PB | TKR74F04PB | TK1R4S04PB | |||
極性 | N溝道 | ||||||
系列 | U-MOSIX-H | ||||||
封裝 | 名稱(chēng) | S-TOGLTM | TO-220SM（W） | DPAK+ | |||
尺寸（mm） | 典型值 | 7.0×8.44，厚度＝2.3 | 10.0×13.0，厚度＝3.5 | 6.5×9.5，厚度＝2.3 | |||
絕對(duì)最大額定值 | 漏極-源極電壓 VDSS（V） | 40 | |||||
漏極電流（DC） ID（A） | 200 | 160 | 250 | 120 | |||
漏極電流（脈沖） IDP（A） | 600 | 480 | 750 | 240 | |||
結(jié)溫 Tch（℃） | 175 | ||||||
電氣特性 | 漏極-源極導(dǎo)通電阻 RDS(ON)（mΩ） | VGS＝10V | 最大值 | 0.66 | 1.0 | 0.74 | 1.35 |
結(jié)殼熱阻 Zth(ch-c)（℃/W） | Tc＝25℃ | 最大值 | 0.4 | 0.67 | 0.4 | 0.83 | |
注：
[1] 典型封裝尺寸，包括引腳。
[2] TKR74F04PB采用TO-220SM（W）封裝。
[3] 東芝可以提供分組出貨，每卷產(chǎn)品的柵極閾值電壓浮動(dòng)范圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請(qǐng)聯(lián)系東芝銷(xiāo)售代表了解更多信息。
[4] 請(qǐng)聯(lián)系東芝銷(xiāo)售代表了解更多信息。
如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址：
XPJR6604PB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPJR6604PB.html
XPJ1R004PB
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.XPJ1R004PB.html
如需了解東芝車(chē)載MOSFET的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)以下網(wǎng)址：
車(chē)載MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/automotive-mosfets.html
*S-TOGLTM是東芝電子元件及儲(chǔ)存裝置株式會(huì)社的商標(biāo)。
*其他公司名稱(chēng)、產(chǎn)品名稱(chēng)和服務(wù)名稱(chēng)可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶(hù)和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。
公司22,200名員工遍布世界各地，致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶(hù)的密切協(xié)作，旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng)，共同開(kāi)拓新市場(chǎng)，公司現(xiàn)已擁有超過(guò)8,598億日元（62億美元）的年銷(xiāo)售額，期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來(lái)并做出貢獻(xiàn)。
掃碼關(guān)注我們
傳真：0755-82591176
郵箱：vicky@yingtexin.net
地址：深圳市龍華區(qū)民治街道民治大道973萬(wàn)眾潤(rùn)豐創(chuàng)業(yè)園A棟2樓A08
