全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等電動(dòng)汽車（EV）類應(yīng)用。

UJ4SC075009B7S 在 25°C 時(shí)的典型導(dǎo)通電阻值為 9mΩ，可在高壓、多千瓦車載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化裝配流程，降低客戶的制造成本。全新的 750V 系列產(chǎn)品是對(duì) Qorvo 現(xiàn)有的 1200V 和 1700V D2PAK 封裝車用 SiC FET 的補(bǔ)充，打造了完整的產(chǎn)品組合，可滿足 400V 和 800V 電池架構(gòu)電動(dòng)汽車的應(yīng)用需求。

Qorvo 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“這一全新 SiC FET 系列的推出彰顯了我們致力于為電動(dòng)汽車動(dòng)力總成設(shè)計(jì)人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾，以助力其應(yīng)對(duì)獨(dú)特的車輛動(dòng)力挑戰(zhàn)?！?/p>

這些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置，將 SiC JFET 與硅基 MOSFET 合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基 MOSFET 簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。SiC FET 的效率取決于傳導(dǎo)損耗；得益于業(yè)界卓越的低導(dǎo)通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo 的共源共柵結(jié)構(gòu)／JFET 方式帶來(lái)了更低的傳導(dǎo)損耗。

UJ4SC075009B7S 的主要特性包括：

  閾值電壓 VG(th)：4.5V（典型值），允許 0 至 15V 驅(qū)動(dòng)電壓

  較低的體二極管 VFSD：1.1V

  最高工作溫度：175°C

  出色的反向恢復(fù)能力：Qrr＝338nC

  低柵極電荷：QG＝75nC

  通過(guò)汽車電子委員會(huì) AEC-Q101 認(rèn)證

有關(guān) Qorvo 先進(jìn)功率應(yīng)用 SiC 解決方案的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：國(guó)產(chǎn)單片機(jī)MCU|32位MCU|國(guó)產(chǎn)MCU替代|單片機(jī)開發(fā)與單片機(jī)解決方案_穎特新科技 (yingtexin.net)

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