ST意法半導體首發(fā)PowerGaN功率半導體新系列，加速釋放氮化鎵技術(shù)潛能
基于氮化鎵 (GaN) 的產(chǎn)品可以取得更高的能效，幫助工程師設(shè)計出更緊湊的電源，適合各種消費、工業(yè)和汽車應(yīng)用意法半導體PowerGaN系列第一款產(chǎn)品現(xiàn)已投產(chǎn)；很快還將推出其他的不同封裝和規(guī)格的產(chǎn)品
意法半導體（簡稱ST）推出了一個新系列——氮化鎵(GaN)功率半導體。該系列產(chǎn)品屬于意法半導體的STPOWER產(chǎn)品組合，能夠顯著降低各種電子產(chǎn)品的能耗和尺寸。該系列的目標應(yīng)用包括消費類電子產(chǎn)品的內(nèi)置電源，例如，充電器、PC機外部電源適配器、LED照明驅(qū)動器、電視機等家電。消費電子產(chǎn)品的全球產(chǎn)量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應(yīng)用中，意法半導體的 PowerGaN器件也適用于電信電源、工業(yè)驅(qū)動電機、太陽能逆變器、電動汽車及其充電設(shè)施。
基于GaN的產(chǎn)品商用是功率半導體的下一個攻堅階段，我們已準備好釋放這一激動人心的技術(shù)潛力。今天，ST發(fā)布了STPOWER產(chǎn)品組合的新系列的首款產(chǎn)品，為消費、工業(yè)和汽車電源帶來突破性的性能。我們將逐步擴大 PowerGaN產(chǎn)品組合，讓任何地方的客戶都能設(shè)計更高效、更小的電源。參考技術(shù)信息
氮化鎵 (GaN)是一種寬帶隙復合半導體材料，電壓耐受能力比傳統(tǒng)硅材料高很多，而且不會影響導通電阻性能，因此可以降低導通損耗。此外，GaN產(chǎn)品的開關(guān)能效也比硅基晶體管高，從而可以取得非常低的開關(guān)損耗。開關(guān)頻率更高意味著應(yīng)用電路可以采用尺寸更小的無源器件。所有這些優(yōu)點讓設(shè)計人員能夠減少功率變換器的總損耗（減少熱量），提高能效。因此，GaN能更好地支持電子產(chǎn)品輕量化，舉例來說，與目前隨處常見的充電器相比，采用GaN晶體管的PC機電源適配器更小、更輕。
據(jù)第三方測算，在使用GaN器件后，標準手機充電器最多可瘦身40%，或者在相同尺寸條件下輸出更大的功率，在能效和功率密度方面也可以取得類似的性能提升，適用于消費、工業(yè)、汽車等各種電子產(chǎn)品。
作為意法半導體新的G-HEMT晶體管產(chǎn)品家族的首款產(chǎn)品，650VSGT120R65AL具有120mΩ的最大導通電阻 (Rds(on))、15A 的最大輸出電流和優(yōu)化柵極驅(qū)動的開爾文源極引腳。該產(chǎn)品目前采用行業(yè)標準的 PowerFLAT 5x6 HV 緊湊型貼裝封裝，其典型應(yīng)用是PC適配器、USB壁式充電器和無線充電。
正在開發(fā)的650V GaN晶體管現(xiàn)在有工程樣品提供，其中120mΩ Rds(on)的SGT120R65A2S采用2SPAK™高級層壓封裝，取消了引線鍵合工序，提高了大功率高頻應(yīng)用的能效和可靠性，SGT65R65AL和SGT65R65A2S的導通電阻都是65mΩ Rds(on)，分別采用PowerFLAT 5x6 HV 和2SPAK封裝。這些產(chǎn)品預計在2022年下半年量產(chǎn)。
此外，G-FET系列還推出一個新的共源共柵GaN晶體管SGT250R65ALCS，采用PQFN 5x6封裝，導通電阻為250mΩ Rds(on)，將于2022年第三季度提供樣品。
G-FET™晶體管系列是一種非?？?、超低Qrr、穩(wěn)健的GaN共源共柵或d模式FET，帶有標準硅柵極驅(qū)動，適用于各種電源設(shè)計。G-HEMT™晶體管系列是一種超快、零Qrr的增強模式HEMT，并聯(lián)簡易，非常適合頻率和功率非常高的應(yīng)用。
G-FET和G-HEMT都屬于STPOWER產(chǎn)品組合的PowerGaN系列。
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編輯：zzy 最后修改時間：2022-06-20
