意法半導(dǎo)體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型
5月13日，意法半導(dǎo)體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)主導(dǎo)了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。
此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應(yīng)用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導(dǎo)體加工，RF GaN-on-SiC可能會更昂貴。
目前，意法半導(dǎo)體和MACOM已經(jīng)開始進一步研究以加快向市場交付先進射頻GaN-on-Si產(chǎn)品的速度。
意法半導(dǎo)體功率晶體管子集團總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁EdoardoMerli表示：“我們相信，該技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)達到了性能水平和工藝成熟度，可以有效地挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LDMOS和GaN-on-SiC，我們可以為包括無線基礎(chǔ)設(shè)施、商業(yè)化在內(nèi)的大批量應(yīng)用提供成本和供應(yīng)鏈優(yōu)勢，將RF GaN-on-Si產(chǎn)品商業(yè)化是我們與MACOM合作的下一個重要里程碑?！?br />
意法半導(dǎo)體和MACOM的合作早有淵源。
2018年2月，MACOM和意法半導(dǎo)體宣布一份硅上氮化鎵GaN合作開發(fā)協(xié)議。意法半導(dǎo)體為MACOM制造硅上氮化鎵射頻芯片。
2019年3月，MACOM和意法半導(dǎo)體(ST)宣布在2019年擴大ST工廠在150mm硅基氮化鎵的產(chǎn)能，而200mm的硅基氮化鎵依需求擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支援全球5G電信網(wǎng)建設(shè)，其基于2018年初MACOM和ST所宣布達成的硅基氮化鎵協(xié)議。
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編輯：ls 最后修改時間：2022-08-09
