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三星公布內(nèi)存路線圖：2027 年 DDR6 內(nèi)存將突破 10Gbps

關(guān)鍵字：DDR6內(nèi)存 NAND芯片三星芯片作者：來源: 發(fā)布時(shí)間：2022-10-09 瀏覽：15

10 月 8 日消息，據(jù)德媒 computerbase 消息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活動(dòng)中介紹了其內(nèi)存路線圖。

如上圖所示，在即將到來的 2023 年，三星將進(jìn)入 1bnm 工藝階段，內(nèi)存芯片容量將達(dá)到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在 6.4-7.2Gbps。顯存方面，新一代 GDDR7 顯存將在明年問世，因此 AMD 和英偉達(dá)顯卡的新一代顯卡的中期改款就有可能會(huì)用上 GDDR7 顯存。

此外，三星還進(jìn)行了一些長遠(yuǎn)的設(shè)想，如 2026 年推出 DDR6 內(nèi)存，2027 年即實(shí)現(xiàn)原生 10Gbps 的速度。

三星也公布了其閃存的路線圖，預(yù)計(jì)將在 2024 年推出 V9 NAND 芯片。

IT之家曾報(bào)道，三星在此前的 Tech Day 2022 活動(dòng)中指出，其第九代 V-NAND 正在開發(fā)中，計(jì)劃于 2024 年量產(chǎn)。到 2030 年，三星設(shè)想 NAND 堆疊超過 1,000 層，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術(shù)。三星還宣布，全球最高容量的 1Tb TLC V-NAND 將于今年年底向客戶提供。