intel研發(fā)4bit QLC閃存 容量可達(dá)10TB
我們對Intel的印象最為深刻的還是它的CPU處理器產(chǎn)品，而它的涉及產(chǎn)品線卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止于此。Intel還有在存儲市場上賣的不錯的SSD固態(tài)硬盤，并且在企業(yè)級等產(chǎn)品線中還可以說是最佳的選擇之一。雖然現(xiàn)在的TLC經(jīng)過技術(shù)升級已經(jīng)大大改善了性能及可靠性，但從大家的反應(yīng)來看，TLC閃存的心理接受度并不高。只不過TLC閃存遠(yuǎn)不是NAND發(fā)展的終點(diǎn)，也許用不了多久我們就能看到容量更大、但問題也會更多的QLC閃存了，Intel已經(jīng)在開發(fā)容量可能超過10TB的QLC閃存硬盤了。
容量可能超過10TB 英特爾研發(fā)大容量QLC閃存
我們說的TLC閃存準(zhǔn)確來說是3bit MLC，每個Cell單元可以儲存3個數(shù)據(jù)，有8個狀態(tài)，而QLC則是4bit MLC，每個Cell單元能存儲4位數(shù)據(jù)，有16個狀態(tài)，因此QLC閃存的容量更大，成本更低，但4位數(shù)據(jù)帶來的挑戰(zhàn)也很大，更精確的電壓控制、更復(fù)雜的干擾等問題都會影響QLC閃存的性能及可靠性。
目前QLC閃存普遍停留在研究階段，商業(yè)生產(chǎn)還早，但QLC的大容量低成本對廠商來說是個不可抗拒的誘惑，Intel、美光前不久正式發(fā)布了3D閃存技術(shù)，而3D閃存對發(fā)展TLC以及QLC閃存是個良機(jī)，傳統(tǒng)平面NAND閃存在提升容量及可靠性上日漸乏力，但3D堆棧技術(shù)使得閃存可靠性及速度都有所改善。
Intel、美光的3D閃存目前主要是256Gb核心的MLC閃存，今年秋季會推出384Gb核心容量的TLC閃存，而QLC閃存也在開發(fā)中，雖然現(xiàn)在還沒有確定的時間表，但QLC閃存遲早也會出現(xiàn)在我們的視野中的，屆時我們可以在2.5寸硬盤上輕松實(shí)現(xiàn)10TB+的容量。
編輯：admin 最后修改時間：2017-08-19
