NAND FLASH的結(jié)構(gòu)和特性

NAND FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖見圖1，可見每個Bit Line下的基本存儲單元是串聯(lián)的，NAND讀取數(shù)據(jù)的單位是Page，當(dāng)需要讀取某個Page時，F(xiàn)LASH 控制器就不在這個Page的Word Line施加電壓，而對其他所有Page的Word Line施加電壓（電壓值不能改變FloatingGate中電荷數(shù)量），讓這些Page的所有基本存儲單元的D和S導(dǎo)通，而我們要讀取的Page的基本存儲單元的D和S的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)則取決于Floating Gate是否有電荷，有電荷時，Bit Line讀出‘0’，無電荷Bit Line讀出‘1’，實(shí)現(xiàn)了Page數(shù)據(jù)的讀出，可見NAND無法實(shí)現(xiàn)位讀?。碦andom Ａccess），程序代碼也就無法在NAND上運(yùn)行。

圖1是一個8*8bit的NAND FLASH的原理結(jié)構(gòu)圖，圖2是沿Bit Line切面的剖面圖，展示了NAND FLASH的硅切面示意圖，NAND FLASH的串聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了其很多特點(diǎn).

（圖1）

                                            （圖2）

（1）基本存儲單元的串聯(lián)結(jié)構(gòu)減少了金屬導(dǎo)線占用的面積，Die的利用率很高，因此NAND FLASH存儲密度高，適用于需要大容量存儲的應(yīng)用場合，即適用于data-storage。

（2）基本存儲單元的串聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了NAND FLASH無法進(jìn)行位讀取，也就無法實(shí)現(xiàn)存儲單元的獨(dú)立尋址，因此程序不可以直接在NAND 中運(yùn)行,因此NAND是以Page為讀取單位和寫入單位，以Block為擦除單位，見圖3。

（3）NAND FLASH寫入采用F-N隧道效應(yīng)方式，效率較高，因此NAND擦除/寫入速率很高，適用于頻繁擦除/寫入場合。同時NAND是以Page為單位進(jìn)行讀取的，因此讀取速率也不算低（稍低于NOR）。

最后來個小貼士：NAND FLASH的中的N是NOT，含義是Floating Gate中有電荷時，讀出‘0’，無電荷時讀出‘1’，是一種‘非’的邏輯；AND的含義是同一個Bit Line下的各個基本存儲單元是串聯(lián)的，是一種‘與’的邏輯，這就是NAND 的由來。

（圖3）

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編輯：simon  最后修改時間：2019-09-17