聯(lián)電搶攻利基型內(nèi)存，準備于泉州市合資設(shè)立?12?寸廠

隨著中國武漢新芯內(nèi)存基地在3月28日正式啟動，準備瞄準NAND Flash產(chǎn)業(yè)，并在2030年成為月產(chǎn)能100萬片的半導(dǎo)體巨人的威脅之下，原本預(yù)估其他廠商可能陸續(xù)退出市場。不過，卻有廠商反其道而行。晶圓代工大廠聯(lián)電就宣布，目前正積極規(guī)劃切入利基型內(nèi)存代工的市場，而且現(xiàn)正招聘人手中，并且逐步開始準備小量試產(chǎn)。

根據(jù)聯(lián)電指出，聯(lián)電現(xiàn)已針對切入利基型內(nèi)存代工成立專案小組，并由甫加入聯(lián)電擔(dān)任副總經(jīng)理的前瑞晶總經(jīng)理陳正坤領(lǐng)軍。至于，其他包括技術(shù)授權(quán)、與對岸合資計劃，建廠進度，投資金額等內(nèi)容，則待雙方簽訂合約后才能公布。

另外，聯(lián)電為擴大在內(nèi)存市場的布局，也開始規(guī)劃與大陸泉州市政府合作，在泉州興建12寸晶圓廠，切入利基型內(nèi)存代工。對此，聯(lián)電內(nèi)部也成立相關(guān)的專案小組，進行包括內(nèi)存工程師人才的招募，以及在南科廠區(qū)設(shè)立小量產(chǎn)線試產(chǎn)等地工作。由于聯(lián)電在本周即將召開相關(guān)內(nèi)存制程的設(shè)備廠商大會，針對南科廠區(qū)的小型產(chǎn)線設(shè)備進行報價工作。因此，預(yù)計聯(lián)電的內(nèi)存代工事業(yè)將會自臺灣開始出發(fā)，逐步再向中國市場擴展。

由于聯(lián)電一直擁有嵌入式快閃內(nèi)存技術(shù)，加上陳正坤進入聯(lián)電集團之后，未來除了有機會搶進嵌入式快閃內(nèi)存之外，還有機會在利基型DRAM市場一較長短。由于內(nèi)存產(chǎn)業(yè)被中國政府列為重點發(fā)展，因此包括儲存型快閃內(nèi)存（NAND Flash）及利基型內(nèi)存（DRAM）市場都將快速發(fā)展下，聯(lián)電希望能藉此取得一席之地。

不過，原本聯(lián)電期望由與廈門市政府合資的聯(lián)芯半導(dǎo)體，原本也打算爭取列入中國國家級NAND Flash和DRAM指標企業(yè)，但最后卻由清華紫光旗下的同方國芯出線。但是，聯(lián)電卻并未因此放棄在中國設(shè)立內(nèi)存代工廠的計劃，在泉州市政府積極爭取與聯(lián)電合資后，雙方將準備在泉州設(shè)立中國南方首座內(nèi)存代工業(yè)務(wù)，同時協(xié)助中國相關(guān)利基型內(nèi)存IC設(shè)計公司成立，建構(gòu)完整垂直生態(tài)供應(yīng)鏈的方向邁進。

編輯：admin  最后修改時間：2017-09-05